中微公司(688012) 投资要点： 事件：公司公告拟通过发行股份方式购买杭州众硅电子科技有限公司（下称“众硅科技”）控股权并同步募集配套资金。公司股票自2025年12月19日起停牌，预计停牌时间不超过10个交易日。 众硅科技成立于2018年，主要从事CMP设备及配套系统研发制造，产品布局覆盖6–12英寸CMP整机、单模组CMP、抛光液供液系统（SDS）及ECMP等。其中，12英寸高端CMP设备已批量应用，8英寸先进CMP设备通过SEMI认证并导入多家晶圆厂产线。 CMP（化学机械抛光）设备价值量约占半导体设备投资总额的4%，市场集中度较高。1） CMP通过化学反应与机械去除协同实现晶圆表面高精度平坦化，是当前唯一能够有效抛光铜互连金属层的关键工艺，广泛应用于晶圆制造及TSV、2.5D/3DIC等先进封装环节。2）据头豹，预计2025-2029年，中国半导体化学机械抛光设备行业市场规模由183亿元人民币增长至486亿元人民币，期间年复合增长率27.7%；3）CMP行业竞争格局高度集中，根据Gartner，AppliedMaterials与日本荏原合计占据全球约93%的CMP市场份额，尤其在14nm以下先进制程产线中形成垄断。 公司此次筹划收购众硅科技，核心意义在于补齐湿法关键工艺、完善前道核心设备体系，加速向平台型半导体设备厂商演进。1）工艺上，公司现有产品以刻蚀、薄膜沉积等真空干法设备为主，而CMP是湿法工艺中不可替代的核心环节，与刻蚀、沉积共同构成除光刻机外最关键的前道工艺装备组合。通过并购切入CMP领域，公司有望实现“刻蚀—沉积—平坦化”工艺系统覆盖，提升体解决方案竞争力。2）战略上，本次交易推动公司由单一设备龙头向“集团化、平台化”设备企业迈出关键一步。 投资建议：维持"买入"评级。我们预计公司2025–2027年归母净利润分别为21.81/31.58/42.78亿元，对应同比增长35.0%/44.8%/35.4%，对应PE分别为74.8x/51.6x/38.1x。在晶圆厂扩产与国产替代推进下，本次收购补齐CMP关键工艺，完善前道设备体系，推动公司平台化发展并强化中长期成长性。 风险提示：化学机械抛光设备市场拓展不及预期、标的公司业务整合进度不及预期。

     中微公司(688012) 投资要点 切入湿法CMP设备领域，完善成套工艺平台能力：2025年12月18日，公司公告拟通过发行股份方式购买杭州众硅，本次交易尚处于筹划阶段，具体交易方式与方案待后续披露。此前公司于2024年12月通过B轮投资首次持股杭州众硅，并于2025年9月联合上海国投与孚腾资本等再次对其进行战略投资。截至此次公告发布前，中微公司共持股杭州众硅12.04%股份，为其第二大股东。杭州众硅主营12寸高端CMP设备，属于湿法工艺核心装备，与中微现有的刻蚀、薄膜沉积等干法设备构成高度互补。本次收购旨在提升中微在成套工艺方案与全流程覆盖方面的竞争力，代表公司向“集团化、平台化”加速演进。 杭州众硅技术底蕴深厚，自主研发国内首台大硅片CMP设备：杭州众硅成立于2018年，由顾海洋博士创立。顾博士本科毕业于浙江大学金属材料工程专业，后赴美深造，在密苏里大学罗拉分校取得博士学位；在国际半导体行业深耕多年，亲历130nm至14nm多个技术节点的设备迭代。公司成立后持续攻关CMP核心技术，2021年实现6英寸第三代半导体CMP设备突破，2022年自主研制出国内首台12英寸大硅片CMP量产设备并获首台认定，填补国内空白，2023年已交付国内头部厂商投入产线应用。 平台化布局持续推进，将覆盖刻蚀、薄膜、量检测、湿法等核心工艺：（1）CCP设备：60比1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备，量产指标稳步提升，下一代90比1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场。（2）ICP设备：适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展。（3）薄膜沉积设备：LPCVD、ALD等多款薄膜设备已经顺利进入市场，硅和锗硅外延EPI设备已顺利运付客户端进行量产验证，并且获得客户高度认可。（4）量检测设备：成立子公司超微公司引入电子束检测设备领军人才，电子束检测设备有望加速落地。 盈利预测与投资评级：我们维持公司2025-2027年归母净利润预测为24.4/34.1/44.6亿元，当前股价对应动态PE分别为70/50/38倍，维持“买入”评级。 风险提示：晶圆厂扩产节奏不及预期，新品研发&产业化不及预期等。

     中微公司(688012) 投资要点 ICP刻蚀加速增长。2025H1，公司ICP刻蚀设备已在逻辑、DRAM、3D NAND等领域超50家客户产线实现大规模量产，同时持续推进更多ICP刻蚀工艺验证，截至报告期末，设备累计装机反应台超1200台。2025H1等离子体刻蚀设备新签订单中，ICP设备的占比略高于CCP设备的占比，ICP快速起量。新产品方面，PrimoMenova12寸ICP单腔刻蚀设备聚焦金属刻蚀领域，擅长Al线、Al块刻蚀，适配功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造，是晶圆厂金属化工艺核心设备。该设备刻蚀均一性优异，兼具高速率、高选择比、低介质损伤特性；搭载高效腔体清洁工艺，可减少污染、延长运行时长；集成高温水蒸气除胶腔室，能高效清除刻蚀后晶圆表面的光刻胶及副产物；主刻蚀与除胶腔体支持灵活组合，可满足高生产效率需求，保障高负荷工况下的稳定性与良率。公司紧跟客户与市场技术需求，稳步推进先进ICP刻蚀技术研发，以满足新一代逻辑、DRAM及3D NAND存储芯片的制造需求。 刻蚀受益于存储扩产。在存储芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件的量产。公司致力于提供超高深宽比掩膜（≥40:1）ICP刻蚀设备和超高深宽比介质刻蚀(≥60:1)CCP刻蚀设备的解决方案。配备超低频偏压射频的用于超高深宽比掩膜刻蚀的ICP刻蚀机目前已经在生产线上大规模应用，工艺能力可以满足国内最先进的存储芯片制造的需求。配备超低频高功率偏压射频的用于超高深宽比介质刻蚀的CCP刻蚀设备也在最关键的超高深宽比刻蚀工艺大规模生产，并逐步拓展应用。2025年前三季度，公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。 投资建议 我们预计公司2025/2026/2027年分别实现收入121/157/198亿元，归母净利润21/31/43亿元，维持“买入”评级。 风险提示 下游客户扩产不及预期的风险，员工股权激励带来的公司治理风险，政府支持与税收优惠政策变动的风险，供应链风险，行业政策变化风险，国际贸易摩擦加剧风险，研发投入不足导致技术被赶超或替代的风险。

     中微公司(688012) 投资要点： 投资建议：首次覆盖，给予“买入”评级。我们预计公司2025–2027年归母净利润分别为21.81/31.59/42.79亿元，对应同比增长35.0%/44.8%/35.5%，对应PE为78.61x/54.28x/40.07x。当前估值虽高于部分同业，但基于公司1）刻蚀设备在主流晶圆厂不断验证，应用于先进逻辑节点；2）薄膜沉积产品线在LPCVD、ALD、金属栅、金属钨等关键工序实现突破，新产品已陆续进入规模化放量阶段，在半导体设备行业中具备稀缺性，我们认为应给予一定估值溢价。 行业与公司情况：公司是中国前道核心工艺设备领先厂商，刻蚀产品覆盖CCP与ICP两大体系，已满足65nm至5nm及更先进节点需求，并在国内外一线客户实现规模化导入。公司加速布局薄膜沉积与外延装备，同时拓展光学与电子束量测及多类泛半导体微加工设备。行业方面，全球半导体设备市场2024–2027年将保持复苏，我们预计市场规模由2024年的1,255亿美元增至2027年的1,505亿美元，CAGR=11.3%。中国大陆市场在晶圆厂扩产与国产替代推动下，由2024年的491亿美元增至2027年的662亿美元。 关键假设点：1）多重图案化与3D存储结构驱动刻蚀和薄膜沉积设备需求提升。随着逻辑制程从7nm向5nm及以下推进，以及3DNAND层数由100+层向200+层、单deck向双/三deck演进，刻蚀与沉积的单晶圆片工艺步数与设备SAM均提升约1.7–2.0倍。我们认为公司凭借在高深宽比刻蚀、金属栅与钨填充沉积等关键节点的技术储备与验证进展，有较强能力承接先进制程扩容带来的结构性增量。2）薄膜沉积业务进入规模化阶段，新增订单贡献第二增长曲线。公司LPCVD、ALD等新品相继通过客户验证并形成批量出货，2025前三季度该业务收入约4亿元，同比增幅超1300%。同时，硅及SiGe外延（EPI）设备已陆续导入头部客户的量产验证环节，外延产品线加速从研发向商业化转变。我们假设沉积设备2025–2027年保持放量，公司收入结构逐渐多元化，并成为未来毛利率改善主要来源。 有别于市场的认识：市场多将关注点放在国产替代进程上，但我们认为未来三年公司业绩的关键驱动力更可能来自先进逻辑及高层数3DNAND在深宽比、均匀性与材料结构上的持续演进，由此带来刻蚀与薄膜沉积环节的结构性SAM提升；在这两条工艺主线中，公司产品已进入核心制程验证与批量应用阶段，具备相对更明确的受益基础。 股价表现的催化剂：公司薄膜沉积产品线放量；公司先进工艺验证进展加速；中国主流晶圆厂资本开支上修；AI驱动算力存力投资上行。 风险提示：先进工艺验证不及预期风险、下游晶圆厂扩产不达预期风险、竞争加剧及价格压力风险、新产品良率爬坡不及预期风险。

     中微公司(688012) 事件 公司2025年第三季度实现营业总收入31亿元，同比增加51%，环比增加11%；归母净利润5亿元，同比增加28%，环比增加29%；扣非净利3亿元，同比增加5%，环比增加45%。 刻蚀基本盘稳固，薄膜新品爆发增长 公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，前三季度，公司刻蚀设备实现收入约61亿元，同比增长38%。薄膜设备迎来爆发期，LPCVD、ALD等新产品顺利放量，前三季度收入约4亿元，同比激增超1300%。此外，硅和锗硅外延EPI设备已运付客户端进行量产验证，公司半导体设备布局持续完善。 研发加码驱动创新提速，平台化战略加速落地 公司坚持高强度研发策略，前三季度研发支出约25亿元，同比大幅增长63%，占营收比例高达31%。公司研发效率大幅提升，新设备开发周期已大幅缩短至2年以内。目前公司在研项目涵盖6类设备、超20款新品。随着先进逻辑和存储关键工艺的高端产品付运提升，公司正加速向平台型设备公司迈进。 投资建议 我们预计2025-2027年公司归母净利润分别为24.76、34.09、42.90亿元，对应的EPS分别为3.95、5.44、6.85元，对应最新收盘价PE分别为66x、48x、38x。维持公司“买入”评级。 风险提示 研发进度不及预期、产业竞争加剧、贸易摩擦加剧。

     中微公司(688012) 投资要点： 中微公司是国内半导体设备的龙头企业之一，主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀、薄膜沉积、MOCVD等设备。公司深耕集成电路制造核心设备领域，主要产品包括刻蚀与薄膜沉积设备两大类：刻蚀设备方面，公司的等离子体刻蚀设备已广泛应用于国际一线芯片制造商的先进制程产线；薄膜沉积领域，公司近年来成功开发的LPCVD和ALD设备已通过客户验证，多款产品进入市场并获大批量重复订单。在泛半导体设备领域，公司氮化镓MOCVD设备保持全球领先，随着全球半导体产业向三五族化合物半导体加速拓展，尤其在Mini/Micro LED新型显示、新能源汽车功率器件等领域的需求持续释放，MOCVD设备作为关键工艺装备，市场空间将进一步扩大此外，公司积极把握半导体设备市场新机遇，通过子公司超微、中微惠创、中微汇链等在量检测设备、环保设备、工业互联网等领域积极拓展，构建多元化的业绩增长点。为满足业务快速增长需求，公司持续保持高强度研发投入，2025年前三季度研发费用达17.94亿元，同比增长96.30%，研发费用率高达22.25%，未来五到十年，公司计划通过自主研发与产业合作，覆盖集成电路关键领域超过60%的设备市场，实现高质量可持续发展。 公司以CCP刻蚀设备为核心，并顺利研发ICP刻蚀设备，覆盖95%以上的刻蚀应用需求，伴随先进制程与三维存储技术的迭代，刻蚀设备的需求将进一步提升。制程进步伴随着工艺尺寸的进一步缩小大幅度提升了对刻蚀设备的需求，根据SEMI，一片7nm芯片在生产过程中需经历约140次刻蚀工艺，相比28nm制程所需的40次，增长超过2.5倍。公司12英寸高端刻蚀设备已实现从65nm至5nm及更先进制程的量产应用，面向5nm以下节点，公司正积极推进下一代机型研发，旨在进一步提升刻蚀选择比、均匀性及量产稳定性。三维存储方面，堆叠层数的不断增加不仅对刻蚀设备的需求提升，在深宽比能力方面也提出更高要求。公司开发的超高深宽比掩膜ICP刻蚀设备与超高深宽比介质CCP刻蚀设备已在先进存储制造产线中大规模应用。目前，公司已成功研制出三代共18种等离子体刻蚀设备，主要聚焦CCP刻蚀设备，ICP刻蚀设备进展顺利，2025年前三季度，公司刻蚀设备营收61.01亿元，同比增长约38.26%，占总营收约76%。 薄膜沉积和MOCVD外延设备方面，公司已成功发布六款薄膜沉积产品，覆盖存储器件及先进逻辑器件的钨、金属工艺需求；公司氮化镓MOCVD设备保持全球领先，将进一步向mini/micro LED和功率器件延伸。1）2025年前三季度，LPCVD和ALD等薄膜设备收入4.03亿元，同比增长1332.69%。钨系列产品方面，公司提供CVD钨、HAR钨及ALD钨设备，可满足存储器件所有钨应用场景，包括高深宽比金属互联及三维存储器件字线应用；金属栅极应用领域，公司推出的金属栅系列产品涵盖ALD氮化钛、ALD钛铝及ALD氮化钽等多款设备，在薄膜均匀性、污染物控制与生产效率等关键指标上均达到国际先进水平，全面满足先进逻辑制程需求。2）公司2024年MOCVD设备营收3.79亿元，同比下降18.03%。公司是氮化镓基LED市场最大的MOCVD设备供应商，凭借PRISMO A7、HiT3及UniMax等系列产品持续服务全球客户。公司亦积极拓展MOCVD技术应用边界，新一代硅基氮化镓设备与碳化硅外延设备正分别处于研发与验证阶段。尽管受LED市场波动影响，公司通过向高端显示、功率半导体等领域的拓展，有望开辟新的增长空间。 投资建议：首次覆盖，给予买入评级。作为国内龙头的半导体设备公司，公司深耕刻蚀设备，同时切入更多细分市场，进一步打开业绩成长空间。我们预计公司2025-2027年营业收入分别为120.74、156.40和197.88亿元，同比增速分别为33.19%、29.54%和26.52%归母净利润分别为20.46、32.04和43.44亿元，同比增速分别为26.62%、56.60%和35.60%对应2025-2027年的PE分别为87、55和41倍。 风险提示：产品研发及验证进度不及预期风险；地缘政治风险；下游需求不及预期的风险。

     中微公司(688012) 投资要点： 技术壁垒深厚，核心产品领跑国产替代。中微公司是国内半导体高端装备龙头，核心产品覆盖等离子体刻蚀设备、MOCVD设备及薄膜沉积设备，技术实力稳居行业前列。刻蚀设备领域，截至2025H1，CCP刻蚀设备累计装机超4500个反应台；ICP刻蚀设备累计装机接近1200个反应台，NanovaLUX-Cryo等机型获重复订单。MOCVD设备在氮化镓基领域全球领先，PRISMOUniMax等机型主导高端Mini-LED显示外延片市场，同时推进氮化镓、碳化硅功率器件设备研发，2025年新一代功率设备有望进入客户验证。薄膜沉积设备已推出6款产品，钨系列覆盖存储与逻辑关键应用，金属栅系列产品性能达国际先进水平，独创方案实现60:1深宽比填充突破，多类产品获头部客户量产订单，持续巩固国产设备技术话语权。 研发与团队双轮驱动，成长动能强劲。公司构建了国际化、高学历的核心团队，创始人尹志尧博士拥有三十余年半导体设备经验，2024年研发人员达1190人，占员工总数47.98%，硕博占比54.71%，跨学科技术储备深厚。研发投入持续加强，2025年上半年增至14.92亿元（yoy：+53.70%），占营业收入比例约为30.07%，截至2025年年中，公司在研项目涵盖六类设备，包含多个关键制程工艺的核心设备开发。同时，公司通过大规模股权激励绑定核心人才，2024年激励覆盖1798人（占比99.72%），2025年计划授予不超过1200万股限制性股票，考核目标锚定营收增速对标行业均值，为长期创新与业绩增长提供保障。2025年上半年营收49.61亿元、归母净利润7.06亿元，LPCVD设备收入同比激增608.19%，新品放量推动增长韧性凸显。 受益行业高景气，市场空间广阔。全球半导体设备市场规模超千亿美元，2024年达1090亿美元，刻蚀设备作为核心环节（Gartner数据显示2022年占比22%），2024年全球半导体刻蚀设备市场规模预计为256.1亿美元，2024-2029年CAGR预计为7.6%，AI、5G、3DNAND等驱动刻蚀工艺复杂度与设备需求提升，3DNAND向千层堆叠演进更放大高深宽比刻蚀设备价值。国内市场方面，中国大陆半导体设备国产化率快速提升。公司作为国产刻蚀设备领军者，南昌、上海临港基地投产，广州、成都基地规划落地后有望进 一步支撑产能扩张，叠加三维立体发展战略，有望持续受益于国内晶圆厂扩产与全球技术竞争，长期成长确定性较高。 盈利预测与评级：我们预计公司2025-2027年归母净利润分别为23.25/31.44/42.21亿元，同比增速分别为43.90%/35.23%/34.27%，当前股价对应的PE分别为82.44/60.96/45.40倍。我们选取芯源微、拓荆科技为可比公司，测得同行业可比公司2025年平均估值为102.36倍，鉴于中微公司在刻蚀设备的龙头地位，维持“买入”评级。 风险提示：下游客户扩产不及预期的风险、研发风险、上游供应链风险等。

     中微公司(688012) 结论与建议： 3Q25公司营收增长51%，同时合同负债环比增长39%，体现公司较多订单确认收入的同时，新增订单增长更快，整体业绩表现超预期。 作为国内半导体刻蚀设备领域的龙头，公司不断向其他领域（薄膜、量检测）扩张。公司预计未来五到十年，将通过自主研发以及外延幷购等方式，实现对集成电路关键领域超过60%的设备市场的覆盖，成长空间进一步打开。目前公司股价对应2027年PE44倍，维持买进的评级。 3Q25营收增长好于预期，新设备收入增长迅猛：2025年前三季度公司实现营收80.6亿元，YOY增长46.4%，其中刻蚀设备收入61亿元，同比增长约38%；LPCVD和ALD等薄膜设备收入4亿元，同比增长约1333%;实现净利润12.1亿元，YOY增长32.7%,EPS1.94元。其中，3Q25公司实现营收31亿元，YOY增长50.6%，实现净利润5.1亿元，YOY增长27.5%。3Q25公司营收好于预期。从毛利率来看，2025年前三季度公司综合毛利率39.1%，较上年同期下降3.1个百分点。截止3Q25，公司合同负债43.9亿元，较上季度末增加39%，在当季大量确认收入的同时，新增订单增长更快，整体业绩表现超预期。公司预计未来五到十年，将通过自主研发以及外延幷购等方式，实现对集成电路关键领域超过60%的设备市场的覆盖，成长空间进一步打开。 中国先进制程扩张，有利公司份额提升：美国对中国半导体产业持续施压，多次对于中国晶圆制造、设计关键设备及工具造成断供的威胁。因此，中国在高阶GPU产品、存储产品的需求缺口急需用先进制程来填补。未来中国会有更多资金、政策向包括光刻机、EDA工具在内的先进制程倾斜，中国半导体产业有望迎来新一轮先进工艺产能扩张。公司作为国内核心半导体设备企业，在刻蚀、薄膜领域有相当的技术储备，有望在中国发展先进制程的过程中受益。 盈利预测：我们预计公司2025-27年实现净利润21亿元、30.9亿元和40.3亿元，YOY分别增长31%、46%和30%，EPS分别为3.42元、4.97元和6.48元，目前股价对应2025-27年PE分别为82倍、57倍和44倍，考虑到中美科技争端激烈，半导体设备本土化需求迫切，给予买进的评级。 风险提示：半导体设备需求下降。

     中微公司(688012) 3Q25营收超预期，国产半导体设备龙头增速保持强劲：3Q25营收31.0亿元（人民币，下同；同比增50.6%），超过我们之前预期。毛利率37.9%，我们认为主要因为新产品在爬坡前期或摊薄毛利率水平，管理层之前指引长期毛利率水平或在40%左右。3Q25研发费用率21.8%，环比降1.5个百分点，1-3Q25研发费用率约为31.3%。我们认为公司收入主要由研发驱动，随着产品日益高端化，研发费用处于高水平或助公司持续推出新产品。 3Q25归母净利润5.05亿元，符合我们之前预期。 刻蚀产品继续拓展，薄膜沉积产品持续上线：3Q25刻蚀设备收入23.2亿元，同比增长35.3%。管理层提到90：1超高深宽CCP即将进入市场，我们在之前报告中深挖超高深宽比设备在先进存储器件和逻辑电路制造中的重要作用，并认为中微产品或接近世界先进水平。我们认为公司ICP产品营收潜力或进一步释放，并维持ICP收入2026年超过CCP产品的预测。我们测算3Q25薄膜沉积产品收入或在2.04亿元左右（现在主要是LPCVD和ALD产品）。公司称其硅和锗硅外延EPI设备已顺利运付客户端进行量产验证。2024年末薄膜沉积在手订单4.76亿元，1-3Q25实现薄膜沉积收入4.03亿元，我们上调2025全年薄膜沉积收入到6.30亿元（前值4.98亿元）。我们认为包括以上产品在内的薄膜沉积设备陆续投放市场，ICP放量和90：1CCP刻蚀设备进入市场或是公司业绩增长的重要驱动。 上调目标价：我们之前上调了中国内地半导体设备2025全年市场规模至520亿美元（同比增长5%），我们认为国产半导体设备公司业绩高增长的趋势或超之前市场预期。我们上调中微公司2025/26/27年营收预测到124.3/160.7/192.1亿元（前值123.0/159.3/190.1亿元）。我们预测之后公司毛利率温和回升到40%左右，并预测归母净利润19.4/32.4/40.2亿元（前值20.9/30.6/38.2亿元）。我们维持公司买入评级，上调目标价到325元（前值280元），对应2027年50倍市盈率。

     中微公司(688012) 投资摘要 公司发布2025年三季度报告。2025Q1-Q3公司实现营收80.63亿元，同比+46.40%；归母净利润12.11亿元，同比+32.66%；扣非后归母净利润8.87亿元，同比+9.05%。2025Q3单季度来看，公司实现营收31.02亿元，同比+50.62%，环比+11.29%；归母净利润5.05亿元，同比+27.50%，环比+28.62%；扣非后归母净利润3.48亿元，同比+5.38%，环比+44.73%。 25Q3营收和利润延续高增，高端刻蚀设备和薄膜设备快速放量。1）收入端，2025Q1-Q3公司营业收入延续高增趋势，同比增长46.40%，其中，刻蚀设备收入为61.01亿元，同比增长约38.26%；LPCVD和ALD等薄膜设备收入为4.03亿元，同比增长约1332.69%。公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。目前公司合同负债持续提升，我们认为侧面反映公司订单稳步增长，看好公司未来业绩持续兑现。2）利润端，25Q1-Q3公司归母净利润12.11亿元，同比增长32.66%，主因①收入高增下毛利实现同比增长约8.27亿元；②研发投入高企影响部分利润；③计入非经常性损益的股权投资收益为3.29亿元，同比增加约2.75亿元。 研发投入持续加码，加快产品拓展和迭代。面对市场多种新设备需求，公司持续加码研发投入支持设备研发，2025Q1-Q3公司研发支出同比增长9.79亿元，同比增长约63.44%，研发支出占公司营业收入比例约为31.29%，远高于科创板均值。公司目前在研项目涵盖6类设备，超20款新设备的开发。公司研发新产品的速度显著加快，产品研发周期缩短至2年内可完成，且新品在客户端验证情况良好，公司有望在未来几年加速、大规模地推出多种新产品，我们认为公司有望实现关键客户市场占有率稳步提升。 下游需求扩张叠加国产替代进程加速，看好公司长期发展机会。据SEMI预测，在先进逻辑、存储和技术转型带动下，2026年半导体制造设备销售额有望提高至1300亿美元，且中国大陆、中国台湾和韩国仍将是设备支出的前三大区域。目前国内先进逻辑与存储芯片厂商持续推进产能扩张，且在外部环境限制下，国内设备在下游验证导入速度加快，产业链国产化进程提速。中微公司积极推进平台化建设，目前产品系列覆盖刻蚀设备、薄膜设备和量检测设备等，且新品研发和客户验证进展顺利，我们认为长期有望受益于下游厂商扩产和国产替代进程。 投资建议 我们预计公司2025-2027年实现营业收入120.12/155.44/199.74亿元，同比+32.51%/+29.41%/+28.50%；实现归母净利润21.31/30.57/39.91亿元，同比+31.91%/+43.42%/+30.56%，当前股价对应PE88/61/47倍，维持“买入”评级。 风险提示 下游客户扩产不及预期的风险、国际贸易摩擦加剧风险、新品开发和技术升级不及预期。

     中微公司(688012) 投资要点 营收&净利润稳健增长，薄膜产品加速放量。2025前三季度公司营收80.6亿元，同比+46.4%，其中刻蚀设备收入61.01亿元，同比+38.26%，LPCVD和ALD等薄膜设备收入4.03亿元，同比+1332.69%；归母净利润为12.1亿元，同比+32.7%，扣非净利润8.9亿元，同比+9.1%。Q3单季营收31.0亿元，同环比+50.6%/+11.3%；归母净利润为5.1亿元，同环比+27.5%/+28.6%，扣非归母净利润为3.5亿元，同环比+5.4%/+44.8%。 公司毛利率略降，研发投入大幅提升。2025前三季度毛利率为39.1%，同比-3.1pct；销售净利率为14.6%，同比-1.9pct；扣非净利率为11%，同比-3.8pct。期间费用率为29.5%，同比+2.5pct，其中销售费用率为4.0%，同比-1.8pct，管理费用率为3.8%，同比-1.8pct，研发费用率为22.3%，同比+5.7pct，财务费用率为-0.6%，同比+0.5pct。Q3单季毛利率为37.9%，同环比-5.8pct/-0.7pct，主要系新设备确认收入影响；销售净利率为15.95%，同环比-3.3pct/+2.4pct；扣非净利率为11.2%，同环比-4.8pct/+2.6pct。 存货&合同负债持续高增，在手订单充足。截至2025Q3末公司合同负债为43.9亿元，同比+47%；存货为81.9亿元，同比+5%。2025前三季度公司经营性现金流为13亿元，Q3单季为11亿元，同环比大幅提升。 刻蚀产品持续领先，镀膜产品拓展顺利。（1）CCP设备：公司用于关键刻蚀工艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长，60比1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备，量产指标稳步提升，下一代90比1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场。（2）ICP设备：适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展。加工的精度和重复性已达到单原子水平。（3）薄膜沉积设备：公司为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等多款薄膜设备已经顺利进入市场，并且设备性能完全达到国际领先水平，薄膜设备的覆盖率不断增加。公司硅和锗硅外延EPI设备已顺利运付客户端进行量产验证，并且获得客户高度认可。在泛半导体设备领域，公司正在开发更多化合物半导体外延设备，已陆续付运至客户端开展生产验证。 盈利预测与投资评级：我们基本维持公司2025-2027年归母净利润预测为24.4/34.1/44.6亿元（原值24.3/34.0/44.5亿元），当前股价对应动态PE分别为76/55/42倍，维持“买入”评级。 风险提示：晶圆厂扩产节奏不及预期，新品研发&产业化不及预期等。

     中微公司(688012) 2025年10月29日，公司发布2025年第三季度财报，公司2025年1-9月实现总营业收入80.63亿元，同比增长46.40%;利润总额达到12.27亿元，同比增长29.65%；实现归母净利润12.11亿元，同比增长32.66%；销售毛利率为39.10%，同比下降3.12pcts。单Q3看，公司实现总营业收入31.02亿元，同比增长50.02%；利润总额5.09亿元，同比增长22.73%；实现归母净利润5.05亿元，同比增长27.50%；销售毛利率为37.89%，同比下降5.84pcts。 经营分析 高端产品新增付运量显著提升，超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。公司用于关键刻蚀工艺的单反应台CCP介质刻蚀产品保持高速增长，其60:1超高深宽比介质刻蚀设备已成为国内标配设备，下一代90:1设备也即将进入市场。在ICP方面，适用于下一代逻辑和存储客户的刻蚀设备开发取得了良好进展。同时，公司开发的LPCVD、ALD等多款薄膜设备及EPI外延设备也已顺利进入市场，并在客户端进行量产验证。在泛半导体领域，公司正开发更多化合物半导体外延设备，并已陆续付运至客户端开展生产验证。近期发布六款新产品，加速转型高端设备平台化公司。公司于2025年9月推出了六款半导体设备新产品，覆盖了等离子体刻蚀、原子层沉积及外延等关键工艺。在刻蚀设备方面，此次发布的两款新品分别为极高深宽比刻蚀及金属刻蚀领域提供了高效的解决方案。在薄膜沉积设备方面，四款新品包括三款原子层沉积产品以及一款外延产品，其中12英寸原子层沉积产品能够满足先进逻辑与先进存储器件在金属栅方面的应用需求，外延设备则可满足从成熟到先进节点的逻辑、存储和功率器件等多领域外延工艺需求。这些新产品进一步拓展了公司的产品布局，为其向高端设备平台化公司的转型提供了有力支撑。 盈利预测、估值与评级 预计公司2025-27年营收118.51/156.43/198.65亿元，同比增长30.73%/32.00%/26.99%；归母净利润18.67/27.85/38.33亿元，同比增长15.54%/49.19%/37.62%，对应EPS为3.0/4.4/6.1元，对应P/E为100/67/48倍，维持“买入”评级。 风险提示 技术开发进度不及预期；国产替代进程放缓；原材料价格波动；市场竞争加剧导致毛利率下降；政策支持不及预期

     中微公司(688012) l投资要点 营收利润双增彰显成长动能，研发投入高增驱动技术突破。 2025H1公司实现营收49.61亿元，同比增长43.88%。其中，2025H1刻蚀设备销售37.81亿元，同比增长40.12%；LPCVD设备销售1.99亿元，同比增长608.19%；公司针对先进逻辑和存储器件制造中关 键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产。2025H1公司实现归母净利润7.06亿元，同比增长36.62%，主要系：1）2025H1营业收入增长43.88%下，毛利较去年增加5.52亿元。2）2025H1公司研发投入总额14.92亿元，同比增加53.70%，研发投入总额占营收比例为30.07%，远高于科创板上市公司的平均研发投入水平（10%-15%）。公司目前在研项目涵盖六类设备，包含多个关键制程工艺的核心设备开发。2025H1研发费用11.16亿元，同比增长96.65%。3）公司以公允价值计量且其变动计入当期损益的对外股权投资于2025H1产生公允价值变动收益和投资收益合计约1.68亿元，较2024H1亏损的0.08亿元增加约1.76亿元。 推出六款半导体设备新产品，加速迈向高端设备平台化。随着半导体技术的迭代升级，等离子体刻蚀、原子层沉积及外延等技术的应用需求持续攀升。公司近日推出六款半导体设备新产品，覆盖等离子体刻蚀、原子层沉积及外延等关键工艺。在刻蚀技术方面，公司此次发布的两款新品分别在极高深宽比刻蚀及金属刻蚀领域为客户提供了领先和高效的解决方案。在薄膜沉积技术方面，公司此次发布的四款新品，包括三款原子层沉积产品以及一款外延产品，其中，公司推出的12英寸原子层沉积产品能够满足先进逻辑与先进存储器件在金属栅方面的应用需求。外延设备凭借卓越的工艺适应性和兼容性，可满足从成熟到先进节点的逻辑、存储和功率器件等多领域外延工艺需求。这六款半导体设备新产品可进一步满足客户需求，拓展公司产品布局，为加速向高端设备平台化公司转型注入新动能。 平台型领军厂商持续受益于下游扩产与国产替代进程。中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，在半导体设备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和国外设备相比正在快速缩小差距，发展迅速并已初具规模，中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升。根据SEMI，在先进逻辑、存储和技术转型带动下，2026年半导体制造设备销售额有望进一步提高至1,300亿美元，中国大陆、中国台湾和韩国仍将是设备支出的前三大区域。根据Yole，中国大陆有望在2030年成为全球最大的半导体晶圆代工中心，预计占全球总装机产能比例将由2024年的21%提升至30%。公司作为国内半导体设备平台型领军厂商，预计未来五到十年，将通过自主研发以及携手行业合作伙伴，覆盖集成电路关键领域包括刻蚀、薄膜等超过60%的设备市场，工艺覆盖度不断完善，国内份额持续提升，将持续受益于下游扩产、技术升级与国产替代进程。 投资建议 我们预计公司2025/2026/2027年分别实现收入121/157/198亿元，分别实现归母净利润21/32/45亿元，维持“买入”评级。 风险提示 下游客户扩产不及预期的风险，员工股权激励带来的公司治理风险，政府支持与税收优惠政策变动的风险，供应链风险，行业政策变化风险，国际贸易摩擦加剧风险，研发投入不足导致技术被赶超或替代的风险。

     中微公司(688012) l事件 公司2025年第二季度实现营业收入28亿元，同比增加51%，环比增加28%；归母净利润4亿元，同比增加47%，环比增加25%；扣非净利2亿元，同比增加9%，环比减少19%。 公司2025年上半年实现营业收入50亿元，同比增加44%；归母净利润7亿元，同比增加37%；扣非净利5亿元，同比增加11%。 l刻蚀设备快速增长，LPCVD实现收入突破 2025年上半年，公司刻蚀设备销售收入达38亿元，同比增长约40%。LPCVD设备销售约2亿元，同比大增608%。截至2025年上半年，CCP设备累计装机量超4500个反应台，其中双反应台机型突破3300个，单反应台机型近1200个；ICP刻蚀累计装机量超过1200个反应台。公司的等离子体刻蚀设备已应用于国际一线客户的65至5纳米工艺的生产线。 l研发驱动战略成效显著，不断创新构建多元产品矩阵 公司通过内生增长和外延扩张相结合的策略，积极探索新兴领域，2025年上半年，公司研发投入同比增长54%，占营收的30%，同时，公司研发速度实现跨越式提升，将新设备的开发周期从3到5年缩短至2年甚至更短时间。9月4日，公司在CSEAC2025发布六款新品，包括等离子体刻蚀、ALD及外延等关键工艺。在核心的刻蚀技术上，公司新一代极高深宽比CCP刻蚀机Primo UD-RIE，凭借自主研发的动态边缘阻抗调节系统，攻克了行业工艺难题，为生产先进存储芯片提供了有力保障。全球首款双腔减压外延设备PRIMIO Epita RP，以全球最小反应腔的创新设计，实现了高效率与低成本的结合。在薄膜沉积领域，PreformaUniflash设备采用独创的双反应台设计，将生产效率和工艺性能提升至世界先进水平。公司正通过一系列突破性创新，强化其在半导体核心设备领域的领先地位 l投资建议 我们预计2025-2027年公司归母净利润分别为24.76、34.13、42.94亿元，对应的EPS分别为3.95、5.45、6.86元，对应最新收盘价PE分别为73x、53x、42x。维持公司“买入”评级。 l风险提示 研发进度不及预期、产业竞争加剧、贸易摩擦加剧。

     中微公司(688012) 存储器电路结构复杂拉动刻蚀/沉积需求：此前，我们曾在主题报告和北方华创首次覆盖报告中阐述逻辑电路制程升级会增加刻蚀和沉积设备需求，本文中，我们深度剖析3DNAND的制作过程，随着3DNAND的堆叠层数增加，沉积和刻蚀步骤也将相应增加，且多次薄膜沉积的面积相应增大，对刻蚀的深宽比要求也随之提高。随着我国国产3DNAND产品接近国际领先的232层水平，我们预测，2025年国产NAND在全球市场市占率或达9%。3DNAND对光刻设备需求较低，而对刻蚀设备需求则较高，这正是中微公司擅长的领域。 刻蚀设备产品在我国市场或有竞争优势：公司通过提高深宽比指标、开发单双反应台设备、开发可调节电极间距的CCP刻蚀机等策略，使得产品不仅在中国内地领先同业，技术能力亦触及海外先进制程领域。CCP产品在中国内地起步较早，我们认为，公司刻蚀产品在2024年实现营收72.8亿元（人民币，下同）的基础上，ICP出货量增速或在2025年或高于CCP的增速，我们预测CCP/ICP2025年收入分别为51.4/45.7亿元（合计97.0亿元）。我们预测ICP收入在2026年超过CCP收入，CCP/ICP收入分别达到60.0/62.6亿元。 薄膜沉积市场广阔，或成中微公司另一大增长引擎。截至2024年底，公司已开发出六种金属薄膜沉积产品，其中钨金属沉积2024年收入1.56亿元，另有近40种产品正在开发中。考虑到公司2024年底尚有4.76亿元薄膜沉积订单，并积极拓展包括氮化钛ALD、钛铝ALD和EPI等新产品。我们预测2025/2026年沉积业务分别收入4.98/9.60亿元。我们同时认为公司MOCVD业务在经历两年调整后，或在2025年恢复增长。 首予买入，目标价280元人民币。我们首予公司买入评级，股价有望充分受益于包括ICP在内的刻蚀设备产品进一步获得市场认可，且自身薄膜沉积设备矩阵不断完善，我们预测2025年新增订单或继续保持同比增长。我们预测2025/26年营业收入123.0亿/159.3亿元（同比分别增36%/30%）；公司毛利率稳定在40%左右，研发费用短期处于高位，并预计2025/26年EPS3.38/4.94元。公司估值相对于可比公司一直存在溢价。2023年来公司平均市盈率NTM为47.4倍，标准差9.2倍，现价对应53.6倍。我们首次覆盖中微公司，考虑半导体设备需求高于市场之前预期，先进制程需求在AI驱动下上升，目标价280元，对应56.6倍（高于历史平均1个标准差）2026年市盈率。

     中微公司(688012) 结论与建议： 作为国内半导体刻蚀设备领域的龙头，公司不断向其他领域（薄膜、量检测）扩张。公司预计未来五到十年，将通过自主研发以及外延幷购等方式，实现对集成电路关键领域超过60%的设备市场的覆盖，成长空间进一步打开。 同时，伴随中美贸易摩擦升级，先进制程的产能问题已经成为制约中国AI产业发展的最核心问题，因此我们预计2H25开始，中国会有更多资金、政策向包括光刻机、EDA工具在内的先进制程倾斜，中国半导体产业有望迎来先进工艺扩张的结构性契机。目前公司股价对应2027年PE35倍，给予买进的评级。 1H25营收继续高速增长，新设备收入增长迅猛：2025年上半年公司实现营收49.6亿元，同比增长43.9%;其中刻蚀设备收入为37.8亿元，同比增40.1%;LPCVD设备实现收入2.0亿元，同比增608%，公司新设备业务展露峥嵘。1H25公司实现净利润7.06亿元，同比增36.6%。公司预计未来五到十年，将通过自主研发以及外延幷购等方式，实现对集成电路关键领域超过60%的设备市场的覆盖，成长空间进一步打开。 中国先进制程扩张，有利公司份额提升：美国对中国半导体产业持续施压，多次对于中国晶圆制造、设计关键设备及工具造成断供的威胁。因此，中国在高阶GPU产品、存储产品的需求缺口急需用先进制程来填补。可以预见从2H25开始，中国会有更多资金、政策向包括光刻机、EDA工具在内的先进制程倾斜，中国半导体产业有望迎来新一轮先进工艺产能扩张。公司作为国内核心半导体设备企业，在刻蚀、薄膜领域有相当的技术储备，有望在中国发展先进制程的过程中受益。 盈利预测：我们预计公司2025-27年实现净利润21亿元、30.9亿元和40.3亿元，YOY分别增长31%、46%和30%，EPS分别为3.71元、5.14元和6.74元，目前股价对应2025-27年PE分别为67倍、46倍和35倍，考虑到中美科技争端激烈，半导体设备本土化需求迫切，给予买进的评级。 风险提示：半导体设备需求下降。

     中微公司(688012) 投资要点 事件：9月4日中微公司在第十三届半导体设备与核心部件及材料展上推出六款新设备，涵盖高深宽比&选择比刻蚀、ALD、EPI等设备。 刻蚀新品高深宽比CCP与金属刻蚀ICP，有望充分受益于制程演进：（1）公司新一代高深宽比CCP刻蚀机Primo UD-RIE基于成熟架构升级，配备六个反应腔，通过更高功率更低频率射频偏压电源，提供更高离子轰击能量，可以满足极高深宽比刻蚀的严苛要求，兼顾刻蚀精度与生产效率。目前我国NAND已实现200层+量产，并向300层发展；其通道孔深度超过5微米、深宽比大于60:1，显著推升对极高深宽比通孔刻蚀的需求。（2）高选择比ICP刻蚀Primo Menova设备擅长金属Al线、Al块刻蚀，广泛适用于先进逻辑和存储芯片制造，在刻蚀均一性、选择比与低底层损伤等方面表现突出，并集成高效腔体清洁及高温水蒸气除胶腔室设计，提升效率与稳定性；25年6月首台机已付运客户验证，进展顺利。先进逻辑与存储芯片的金属互连层数不断增加（28nm工艺约8–10层，7nm/5nm节点达13–14层），对金属刻蚀的精度和均一性提出更严苛要求，公司ICP设备有望充分受益。 新品ALD覆盖多种先进制程金属，双腔EPI满足客户降本增效需求：（1）Preforma Uniflash系列ALD：覆盖TiN、TiAl、TaN三大材料，独创双反应台与多级混气设计，薄膜均一性和效率达到国际先进水平。金属栅作为先进逻辑器件的关键环节，对栅极薄膜的厚度控制、台阶覆盖率及颗粒污染提出极高要求，推动晶圆厂对高精度ALD设备需求加速释放。（2）PRIMIO EpitaRP双腔减压外延：具备全球最小反应腔体积与多腔灵活扩展（至多可配置6腔），降低OPEX与化学品消耗的同时，实现高生产效率，可满足先进逻辑、存储等多领域外延工艺需求。24年8月，该设备已付运到客户进行成熟制程和先进制程验证。 平台化布局加速落地：公司平台化布局覆盖刻蚀、薄膜、量检测及显示设备。截至2025年上半年末，已有6,800台等离子体刻蚀与化学薄膜反应腔在国内外155条产线实现量产，并形成规模化批量订单。同时，公司设立超微公司切入电子束检测领域，引入领军人才，加速检测设备布局。此次发布多款先进薄膜与刻蚀设备，平台化布局再次加速。 盈利预测与投资评级：我们维持公司2025-2027年归母净利润为24.3/34.0/44.5亿元，当前股价对应动态PE分别为51/37/28倍，维持“买入”评级。 风险提示：晶圆厂扩产节奏不及预期，新品研发&产业化不及预期等。

     中微公司(688012) 事件：近日公司发布2025年半年度报告，2025年上半年公司实现营收49.61亿元，同比+43.88%；归母净利润7.06亿元，同比+36.62%；扣非归母净利润5.39亿元，同比+11.49%。2025年第二季度单季度实现营收27.87亿元，同比+51.26%，环比+28.25%；归母净利润3.93亿元，同比+46.82%，环比+25.47%；扣非归母净利润2.40亿元，同比+9.16%，环比-19.39%。 投资要点： 业绩持续高速成长，不断加大研发投入力度。2025年上半年，公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产，推动公司营收持续高速增长；25H1刻蚀设备销售约37.81亿元，同比增长约40.12%,LPCVD设备销售约1.99亿元，同比增长约608.19%。公司25Q2毛利率为38.54%，同比增长0.37%，环比下降3.00%；25Q2净利率为13.56%，同比下降0.95%，环比下降0.62%。公司不断加大研发投入力度，25H1研发投入约14.92亿元，同比增长53.70%，研发投入占公司营业收入比例约为30.07%。 CCP与ICP刻蚀设备不断扩大工艺覆盖度，装机量持续高速增长。公司的刻蚀产品已经对28纳米以上的绝大部分CCP刻蚀应用和28纳米及以下的大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖。2025年上半年，公司CCP刻蚀设备中双反应台机型PrimoD-RIE、Primo AD-RIE、Primo AD-RIE-e和单反应台机型PrimoHD-RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线，用于高精度高选择比刻蚀工艺的单反应台产品Primo HD-RIEe和用于超高深宽比刻蚀工艺的Primo UD-RIE持续获得客户订单，其中PrimoHD-RIEe在2025年上半年累计装机超过120个反应台，PrimoUD-RIE累计装机接近200个反应台；截至2025年上半年，CCP刻蚀设备累计装机量超过4500个反应台，同比增长超过900个反应台。公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上大规模量产，并继续验证更多ICP刻蚀工艺；截至2025年上半年，ICP刻蚀设备累计装机量超过1200个反应台。 多款薄膜沉积产品获得客户重复量产订单，持续推进新工艺设备开发。公司已开发出六款薄膜沉积产品并推向市场，其中钨系列薄膜沉积产品包括CVD钨设备、HAR钨设备和ALD钨设备，可覆盖存储器件所有钨应用，该系列设备均已通过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互联应用及三维存储器件字线应用各项性能指标，并获得客户重复量产订单；公司开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品包括ALD氮化钛、ALD钛铝和ALD氮化钽产品，已完成多个先进逻辑客户设备验证，在满足先进逻辑客户性能需求的同时，设备的薄膜均一性、污染物控制和生产效率均达到世界先进水平，该系列设备已付运到先进逻辑客户端进行验证，核准推进顺利。公司在现有的金属CVD和ALD设备研发基础上，同步推进多款CVD和ALD设备开发，增加薄膜设备的覆盖率和市场占有率。 盈利预测与投资建议。刻蚀设备与薄膜沉积设备市场空间广阔，公司具有完整的单台和双台刻蚀设备布局、核心技术持续突破、产品升级快速迭代、刻蚀应用覆盖丰富等优势，CCP与ICP刻蚀设备不断扩大工艺覆盖度，装机量持续高速增长，多款薄膜沉积产品获得客户重复量产订单，并持续推进新工艺设备开发，公司逐步建立半导体设备平台，我们预计公司25-27年营收为120.43/155.23/198.09亿元，25-27年归母净利润为22.94/30.96/41.10亿元，对应的EPS为3.66/4.94/6.56元，对应PE为60.93/45.14/34.00倍，维持“买入”评级。 风险提示：晶圆厂扩产进度不及预期风险，行业竞争加剧风险，新产品研发进展不及预期风险，国际贸易冲突加剧风险。

     中微公司(688012) 投资摘要 公司发布2025年半年报报告。2025H1公司实现营收49.61亿元，同比+43.88%；归母净利润7.06亿元，同比+36.62%；扣非后归母净利润5.39亿元，同比+11.49%。2025Q2单季度来看，公司实现营收27.87亿元，同比+51.26%，环比+28.25%；归母净利润3.93亿元，同比+46.82%，环比+25.47%；扣非后归母净利润2.40亿元，同比+9.16%，环比-19.39%。 高端刻蚀设备和LPCVD快速放量，25H1营收实现高增。2025H1，公司营收同比高增43.88%，单Q2收入同比+51.26%，收入增长提速，主因应用于先进逻辑和先进存储制造的高端刻蚀设备出货量显著提升以及LPCVD实现快速放量。分产品看，1）刻蚀设备：2025H1刻蚀设备销售收入约37.81亿元，同比增长约40.12%，主因公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，多种关键刻蚀工艺实现大规模量产；2）LPCVD设备：2024年实现首台销售，2025H1该设备销售收入约为1.99亿元，超过24全年规模，同比增长约608.19%，目前多款设备顺利进入市场并获得重复性订单，我们认为薄膜设备产品研发和市场导入成效显现。 高研发投入支持产品开发和迭代，短期影响利润端表现。1）利润端：2025H1公司综合毛利率为39.86%，同比-1.47个百分点，毛利率略降；归母净利率为14.23%，同比-0.76个百分点；扣非后净利率为10.86%%，同比-3.16个百分点，主因研发投入持续加码（2025H1研发费用同比+96.65%）以及公司公允价值变动收益和投资收益增厚利润（2025H1公允价值变动收益和投资收益合计约为1.68亿元，较2024H1亏损的0.08亿元增加约1.76亿元）。2）费用端：2025H1公司的期间费用率为29.75%，同比+3.30个百分点，其中销售/管理/研发/财务费用率分别为3.85%/4.03%/22.50%/-0.64%，同比-2.00/-1.53/+6.04%/+0.79%个百分点。3）高研发投入期：公司目前仍保持高强度新设备研发，上半年研发投入总额达14.92亿元，同比+53.70%，研发投入总额占营业收入比例为30.07%。截止2025年上半年末，公司目前在研项目涵盖6类设备，超20款新设备的开发，产品研发周期缩短至2年内可完成，且新品在客户端验证情况良好，有望实现关键客户市场占有率稳步提升。 持续推多系列产品线研发和客户验证，平台化布局持续推进。公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿，多个产品线取得不错进展：1）刻蚀设备：公司CCP和ICP刻蚀设备装机量保持高增，CCP刻蚀设备已对逻辑芯片制造领域中28纳米以上的绝大部分刻蚀应用和28纳米及以下的大部分刻蚀应用形成较为全面的覆盖，超高深宽比刻蚀机（深宽比60:1）已大规模应用于先进的存储器件生产线，TSV刻蚀设备也已应用于先进封装，此外在研用于5-3nm的逻辑芯片制造的ICP刻蚀机。2）薄膜类设备：已开发出6款薄膜沉积产品推向市场，钨系列产品已通过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互联应用（包含高深宽比金属互联应用）及三维存储器件字线应用各项性能指标，同时也付运到先进逻辑客户进行验证；此外，ALD设备已完成多个先进逻辑客户设备验证。3）量检测设备：包括光学量检测设备和电子束量检测设备，2024年新设超微公司，着力开发电子束检测设备，扩大多品类覆盖。4）MOCVD设备：用于碳化硅功率器件外延生产的设备开发取得较大的技术进展，持续推进样机在客户端的生产验证；制造Micro-LED应用的新型MOCVD设备实现小批量生产验证。 投资建议 我们预计公司2025-2027年实现营业收入120.12/155.44/199.74亿元，同比+32.51%/+29.41%/+28.50%；实现归母净利润21.31/30.60/39.95亿元，同比+31.91%/+43.60%/+30.53%，当前股价对应PE66/46/35倍，维持“买入”评级。 风险提示 下游客户扩产不及预期的风险、国际贸易摩擦加剧风险、新品开发和技术升级不及预期。

     中微公司(688012) 收入保持高增，研发加码补齐国产高端设备短板，维持“买入”评级 2025H1公司实现营收49.61亿元，yoy+43.88%，主因公司高端刻蚀设备新增付运量显著提升，在先进逻辑和先进存储中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产；实现毛利率39.86%，同比下滑1.46pcts，我们认为主因公司部分先进机台在量产爬坡过程中产生的部分一次性成本在本季度体现；实现归母净利润7.06亿元，yoy+36.62%，主因收入高速增长。此外，公司继续保持高额研发投入，2025H1投入总额14.92亿元，yoy+53.70%，占收入比例为30.07%，远高于科创板公司平均水平（10-15%）。 公司Q2单季度实现收入27.87亿元，yoy+51.26%，qoq+28.25%；实现归母净利润3.93亿元，yoy+46.82%，qoq+25.47%；实现毛利率38.54%，同比提升0.37pcts，环比下滑3.00pcts。 公司在刻蚀领域领先，大力推进薄膜沉积设备研发，且通过内生外延方式拓展光学与电子束量检测等设备，竞争力强劲。我们维持收入预测，小幅下修公司财务费用预测，并小幅上修公司净利润预测，预计公司2025-2027年分别实现营业收入122/160/200亿元，实现归母净利润22.1/32.1/44.9亿元（前值22.1/31.9/44.7亿元），当前股价对应PE分别为60.6/41.8/29.9倍，维持“买入”评级。 新品研发进展顺利，高端化+平台化布局稳步推进 公司各条线产品研发进展顺利：（1）刻蚀设备：CCP方面，公司针对超高深宽比刻蚀工艺（深宽比60:1）自主开发的Primo UD-RIE已大规模应用于先进的存储器件生产线。ICP方面：公司8英寸和12英寸深硅刻蚀设备Primo TSV200E、Primo TSV300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单同时，在12英寸3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证。（2）薄膜沉积设备：MOCVD方面，公司红黄光LED MOCVD设备开发进展顺利，同时碳化硅功率器件外延生产设备已实现优良的工艺结果。ALD方面，公司已有六种CVD-ALD薄膜沉积设备进入市场，核准顺利推进，部分设备已取得批量订单。此外，公司减压EPI设备已在成熟制程客户进行量产验证，并进入先进制程验证。且新一代高选择比预清洁腔体已顺利付运先进制程客户端进行验证。 我们认为：随公司设备高端化与平台化战略逐步起效，公司市场空间与盈利能力同步提升，有望在未来为业绩增长做出贡献。 风险提示：下游晶圆厂扩产幅度不及预期，新品研发及导入进度不及预期。