中微公司(688012) 投资要点 高端刻蚀付运显著提升。在先进存储器件制造工艺中，公司完全自主开发的针对超高深宽比刻蚀工艺的刻蚀机已有300多台反应器实现了稳定可靠的大规模量产。CCP方面，用于关键刻蚀工艺的介质刻蚀产品持续保持高速增长，下一代90:1超高深宽比低温刻蚀设备已运付客户端进行验证，公司已全面覆盖存储器刻蚀应用中各类超高深宽比需求；ICP方面，适用于新一代逻辑和存储芯片制造用的第二代ICP刻蚀设备Primo AngnovaTM在3D DRAM的应用中，取得了140:1的高深宽刻蚀结果和形貌控制能力，并付运到国内领先存储客户端认证。全新的化学气相刻蚀设备PrimoDomingoTM实现大于700:1的业界领先SiGe/Si的高选择比，在GAA和3D DRAM关键工艺的实验室验证中，展现优异的刻蚀性能，全面满足客户的各项工艺指标要求。 先进薄膜设备快速放量。公司以行业领先的研发速度，在短时间内成功开发出十多种薄膜设备，包括LPCVD、ALD、EPI、PVD CuBS和PECVD等产品在先进存储和先进逻辑市场新增付运量保持快速增长，2025年薄膜设备营收同比大幅增长约224.23%，成为业绩增长的重要新引擎。公司为先进逻辑和先进存储器件金属栅应用开发的ALD系列产品，设备性能达到国际领先水平的同时，表现出更优异的生产效率。同时，可用于先进半导体器件制造的核心金属薄膜沉积产品正在开发，项目顺利推进中。公司所开发的多款核心介质沉积设备都在有序推进，与客户的各项验证工作也有良好的进展。公司的减压EPI设备已在成熟制程客户端验证成功，也已付运先进制程客户端，部分先进工艺已进入量产验证阶段；常压外延设备现已完成开发，进入晶圆验证阶段。 杭州众硅股权过户，深化平台化发展。截至5月29日，杭州众硅64.69%股权已过户登记至上市公司名下，这一整合不仅填补了上市公司在湿法设备领域的空白，更显著提升了公司在先进制程中为客户提供系统级整体解决方案的能力。面对先进晶圆厂和先进存储厂对工艺协同性、产线稳定性与整体效率日益严苛的要求，公司可为客户提供高度协同的成套设备解决方案，大幅缩短工艺调试和验证周期，从而增强客户黏性，加速公司在主流产线的规模化渗透。通过本次并购双方将形成显著的战略协同，同时标志着上市公司向“集团化”和“平台化”迈出关键的一步。目前公司的三十多种设备产品已经覆盖了约30%前道集成电路设备产品，未来五年，公司计划通过有机生长和外延扩展，覆盖60%以上的集成电路高端设备市场和70%以上的先进封装设备市场，在规模上成为全球领先的高端设备平台型公司。 投资建议 我们预计公司2026/2027/2028年分别实现收入163/211/264亿元，归母净利润31/42/55亿元，维持“买入”评级。 风险提示 下游客户扩产不及预期的风险，员工股权激励带来的公司治理风险，政府支持与税收优惠政策变动的风险，上游供应链产能紧张的风险，行业政策变化风险，国际贸易摩擦加剧风险，投资及并购风险。

     中微公司(688012) 核心观点 1Q25营收同比增长34.13%，归母净利润同比增长197.20%。公司发布2026年第一季度报告，实现营收29.15亿元(YoY+34.13%)，归母净利润9.30亿元(YoY+197.20%)，扣非归母净利润4.78亿元(YoY+60.09%)。综合毛利率达到39.89%(QoQ+0.6pp)，研发支出9.08亿元(YoY+32.15%)。收入端增长主要因应用于先进逻辑（中段关键刻蚀工艺）与存储（超高深宽比刻蚀工艺）的高端产品实现量产，且运量显著提升。利润端，公司本期出售了部分持有的拓荆科技股票，产生税后净收益约3.97亿元。期末公司合同负债达28.53亿元，存货达72.59亿元，显示公司在手订单饱满。 2025年营收同比增长36.62%，归母净利润同比增长30.69%。公司2025年实现营收123.85亿元(YoY+36.62%)，归母净利润21.11亿元(YoY+30.69%)，扣非归母净利润15.50亿元(YoY+11.64%)，综合毛利率39.17%(YoY-1.89pp)。公司刻蚀设备实现收入98.32亿元(YoY+35.12%)，覆盖从65nm到3nm及更先进工艺的刻蚀应用，刻蚀设备全球累计出货超6800台。薄膜设备实现收入5.06亿元，同比增长224.23%，LPCVD设备累计出货量突破300个反应台。25年薄膜设备新签订单约7.56亿元，同比增长约59%。MOCVD设备方面，开发出用于SiC和GaN功率器件、Micro LED等领域的新产品。 高端刻蚀设备全面导入应用，先进薄膜设备运付量快速增长。先进存储中，公司超高深宽比刻蚀机已有300多台反应器实现稳定量产，下一代90:1超高深宽比低温CCP刻蚀设备已运付客户端进行验证。第二代ICP刻蚀设备在3D DRAM应用中取得140:1高深宽刻蚀结果和形貌控制能力，并付运到国内领先存储客户端认证。全新化学气相刻蚀设备实现大于700:1的业界领先SiGe/Si的高选择比，在GAA和3D DRAM关键工艺的实验室验证中，全面满足客户的各项工艺指标要求。薄膜设备方面，公司减压EPI设备已在成熟制程客户端验证成功，并已付运至先进制程客户；常压外延设备现已完成开发，进入晶圆验证阶段。目前公司累计已有超8300个反应台在国内外180余条芯片及LED生产线全面量产。 投资建议：国内半导体先进设备公司，维持“优于大市”评级。国内半导体设备需求旺盛，公司平台化发展优势有望逐步体现，我们预计公司2026-2028年营业收入158.70/207.00/267.93亿元（26-27年前值151.32/193.33亿元），归母净利润30.47/39.22/49.22亿元（26-27年前值31.38/39.86亿元），当前对应PE分别为77/60/48倍，维持“优于大市”评级。 风险提示：下游晶圆制造产能扩充不及预期风险，新产品开发不及预期风险，国际关系波动和地缘政治风险等。

     中微公司(688012) 营收持续高速增长，净利润亦增长强劲： 1Q26 营收 29.15 亿元（人民币，下同），同比增 34.1%，高于我们预测的 28.0 亿元。毛利率 39.9%，连续两个季度环比上升，我们视之为积极信号，并认为这部分是因为新产品上量对于毛利率影响开始减退。净利润 9.30 亿元，远好于市场/我们的预期，主要因为本期出售部分拓荆科技（ 688072 CH/未评级）股票，产生税后净收益3.97 亿元。扣非净利润 4.78 亿元，同比增约 60%，快于营收增速。 新产品落地继续取得进展：根据公司披露的产品路线图，最让我们感到惊喜的是公司第二代 ICP 刻蚀产品在 3D DRAM 应用中的进展。公司提到产品取得了 140:1 的高深宽刻蚀结果和形貌控制能力，并付运到中国内地领先存储客户端认证。 3D DRAM 目前尚未处于大规模生产阶段，我们之前预测 3D DRAM 全球范围内大规模上市或在 2028 年之后。 3D DRAM 在结构上与之前 DRAM 存在较大差异，参考之前 3D NAND 的制造工艺，我们认为刻蚀或在 3D DRAM 制造过程中发挥重要作用，而中微在产品的进展也给我们对于国产 DRAM 赶超世界先进水平提供信心。此外， CCP 90:1 超高深宽比已运付客户端进行验证，化学气相刻蚀设备实现大于 700:1 业界领先 SiGe/Si 高选择比等进展也意味着公司产品研发步伐或持续加快。我们预测 2026 年 ICP 产品收入超过 CCP 收入，分别达到 65.9/62.7 亿元，预测薄膜沉积产品收入达到 8.0 亿元。 上调目标价到 448 元：我们认为，部分客户资本开支或在 2026 年小幅回落后在 2027 年重新加速上涨。同时考虑到国产存储芯片客户中短期扩产积极，我们上调 2027 年公司营收预测到 219.2 亿元（前值 196.0 亿元），微调 2026 年营收预测到 164.2 亿元（前值 162.6 亿元）。我们看到公司毛利率水平在之前小幅下降后近期出现反弹，虽然行业竞争加剧，但我们认为公司在前道设备 ICP/CCP 和部分薄膜沉积产品上具备技术优势。我们上调 2026/27 年 EPS 预测到 6.01/7.47 元（前值 5.56/6.96 元）。我们维持买入评级，上调目标价到 448 元（前值 418 元），对应 60 倍（维持前值不变） 2027 年市盈率

     中微公司(688012) 结论与建议： 公司交出靓丽季报，1Q26营收增长3成，扣非后净利润增长6成，业绩弹性进一步显现。展望未来，公司逐步成为成为具备“刻蚀+薄膜沉积+量检测+湿法”四大前道核心工艺的厂商，成功实现从“干法”向“干法+湿法+量检测”整体解决方案的关键跨越。其成长空间进一步打开。目前公司股价对应2028年PE46倍，维持买进的评级。 1Q26净利润高速增长，利润弹性显现：2026年第一季度公司实现营收29.1亿元，YOY增长34.1%;实现净利润9.3亿元，YOY增长197.2%，扣非后净利润4.8亿元，YOY增长60%，与净利润的差额源于出售拓荆科技股权录得4.7亿元的投资收益，EPS1.48元。1Q26公司研发支出9.1亿元，较去年同期增长约32%，研发费用率31.1%，推进六大类、超20款新设备的研发，在保持了较高的研发强度的同时，公司利润释放加速，反应规模效应的提升。 2026迎来半导体史诗性扩产，公司有望受益：2026年，中国半导体设备市场在AI算力爆发与国产化加速的双重驱动下，将呈现出前所未有的高景气度。特别是头部晶圆厂与存储大厂（长鑫、长存）高速扩产，资本开支有望超历史记录。将有助于设备企业获得更多订单，从而实现国产设备的“点状突破”向“链式突围”迈进。公司作为国内刻蚀设备龙头，正通过内生和外延方式进入设备产业链的其他领域，逐步成为具备“刻蚀+薄膜沉积+量检测+湿法”四大前道核心工艺的平台型公司，从而在中国发展先进制程的过程中受益。 盈利预测：我们预计公司2026-28年实现净利润29亿元、39亿元和47.6亿元，YOY分别增长37%、35%和22%，EPS分别为4.62元、6.23元和7.59元，目前股价对应2026-28年PE分别为76倍、57倍和46倍，考虑半导体设备本土化需求迫切，给予买进的评级。 风险提示：半导体设备需求下降。

     中微公司(688012) 投资要点 事件概述：根据公司发布2025年年度业绩报告，公司2025年营业总收入为123.85亿元（yoy+36.62%），归母净利润为21.11亿元（yoy+30.69%），公司销售毛利率为39.17%（yoy-1.89pct）。公司2025Q4营业总收入为43.22亿元（yoy+21.48%，qoq+39.33%），归母净利润为9.00亿元（yoy+28.12%，qoq+78.18%），销售毛利率为39.29%（yoy+0.02pctqoq+1.40pct）。 核心产品规模持续扩大，高端设备加速推进。1）公司刻蚀设备2025年收入98.32亿元（yoy+35.12%），占总营收约79.4%。CCP与ICP两大类设备覆盖95%以上的三百余种刻蚀应用，工艺节点覆盖65nm至3nm及更先进制程。其中，CCP设备年付运超1000台，累计装机突破5000台，60:1超高深宽比介质刻蚀设备已成为国内标配，量产指标稳步提升，下一代90:1产品即将进入市场；ICP设备累计装机达1800反应台，适用于下一代逻辑和存储客户的ICP刻蚀及化学气相刻蚀设备开发进展顺利，加工精度与重复性已达单原子水平。2）薄膜设备作为第二曲线快速增长，2025年LPCVD收入5.06亿元，同比增长224.23%，累计出货超300反应台，多款新型设备已获重复性订单。另有二十余种导体薄膜沉积设备将陆续推向市场，可覆盖全部先进金属应用；同时，硅及锗硅外延EPI设备已进入客户端量产验证阶段。3）MOCVD设备在氮化镓基LED领域保持市场份额领先，Micro-LED设备完成头部客户量产验证，新型氮化镓功率器件MOCVD设备已发往下游客户进行量产验证。同时，AsP材料专用MOCVD设备正定制开发，面向红光LED及Mini-LED的设备已发往头部IDM公司进行量产验证，红光Micro-LED、光电子材料外延等应用也在稳步推进中。 长期保持高强度研发投入，持续提升产品竞争力。2025年公司研发投入达37.44亿元，同比增长52.65%，占总营收30.23%，远超行业平均水平；其中研发费用为24.75亿元，同比增长74.61%。目前，公司在研设备涵盖等离子体刻蚀、薄膜沉积（LPCVD、ALD、PVD、PECVD）、外延（硅/锗硅EPI）、光学及电子束量检测、MOCVD以及大平板设备等领域，在研项目覆盖6大品类、超20款新设备。同时，公司研发周期已从过去的3-5年大幅缩短至2年以内，具备快速推出有竞争力设备的能力，预计未来几年将新品持续验证上市，进一步扩大市场份额。 内生外延，落地平台化战略。量检测设备市场增长速度很快，已成为占半导体前道设备总市场约13%的第四大设备门类。公司通过投资和成立子公司，全面布局了量检测设备板块，已规划覆盖多种量检测设备产品。此外，公司通过拟收购众硅电子科技控股权，从单一干法工艺延伸至“干法+湿法”整体解决方案，补齐湿法设备短板，增强为先进制程提供系统级解决方案的能力。目前公司产品覆盖约30%的集成电路设备，未来5年左右将通过有机生长与外延扩展，力争覆盖60%以上高端关键设备和70%以上先进封装设备，成为集成电路设备领域的平台型公司。 投资建议：公司作为聚焦高端半导体装备的核心供应商，刻蚀、薄膜沉积、MOCVD等设备持续迭代放量，同时深度受益于下游晶圆厂产能扩张与国产替代趋势的双重机遇，长期在集成电路制造领域稳健发展。我们预计公司2026、2027、2028年营业收入分别为162.75204.35和248.25亿元（2026、2027年原预测值分别是156.40和197.88亿元），同比增速分别为31.41%、25.56%和21.48%；预计公司2026、2027、2028年归母净利润分别为30.4742.44和55.34亿元（2026、2027年原预测值分别是32.04和43.44亿元），同比增长分别为44.33%、39.26%和30.41%。当前市值对应2026、2027、2028年的PE分别为61、44和34倍，维持“买入”评级。 风险提示：1）产品研发验证进展不及预期风险；2）上游供应链风险；3）下游晶圆厂扩产不及预期风险。

     中微公司(688012) 半导体设备上行周期或持续： 2025 全年营收 123.85 亿元（人民币，下同），归母净利润 21.1 亿元，符合之前预告/我们的预期。我们认为，受人工智能基建高景气影响，终端集成电路需求快速上升，晶圆制造产能供不应求，加之国产设备技术能力和市占率的进一步上升，中微公司作为国产设备龙头公司或显著受益。 刻蚀/薄膜沉积/量检测/湿法设备全面开花：令我们最为鼓舞的是，公司在产品研发/销售的深度和广度上持续取得进展。广度上，管理层指引总体设备覆盖率在今后 5-10 年从现有的 30%的设备品类上升到 60%（包括有机生长和并购）。 刻蚀方面：管理层称 CCP/ICP 应用覆盖率分别到达95%/99%。公司在 2025 年完成开发 90:1 极高深宽比等离子刻蚀机，并或在之后进一步拓展到 140： 1 硅材料的刻蚀机。公司披露等离子刻蚀设备已应用于海内外一线客户 3 纳米及更先进的众多刻蚀应用。管理层之前指ICP 在手订单或多于 CCP 订单，我们预测公司 ICP 收入 2026 年增速快于CCP， CCP/ICP 2026 年收入分别为 61.8/65.0 亿元。 薄膜沉积方面： 2025 年实现收入 5.06 亿元（主要是钨材料薄膜 3D NAND 制造），略超过我们的预测 4.98 亿元。管理层指出薄膜沉积订单为 7.56 亿元，我们预测公司 2026年薄膜沉积设备收入或达 8 亿元。薄膜产品技术进步明显： Si/SiGe EPI（外延）取得均匀性突破。我们认为这或帮助公司进入 GAAFET（逻辑）和 3DDRAM（存储）先进产能供应链。 量检测方面：我们认为电子束量检测设备技术门槛高，国产化率低于 5%，且使用率随逻辑电路制造复杂度上升而上升。公司从零开始组建电子束量检测团队， CD（ critical dimension） -SEM 设备开发在 12 个月获得图像， 18 个月设备正常运转。 维持买入评级：我们认为，在全球集成电路产品供应普遍紧缺的条件下，半导体设备上行周期或持续至少到 2027 年。我们微调 2026E/27E 营收预测到 162.6 亿/196.0 亿元（前值 162.0 亿/193.6 亿元），调整 2026E/27E EPS到 5.56/6.96 元（前值 5.59/6.91 元）。我们继续好看国产半导体设备市场前景，上调目标价到 418 元（前值 415 元），对应 2027 年 60 倍市盈率（维持不变），维持买入。

     中微公司(688012) 投资要点： 事件：中微公司发布2025年年度报告，公司2025年实现营业收入约123.85亿元，较24年增长约33.19亿元，同比增长约36.62%，公司实现归母净利润21.11亿元，较上年同期增加约4.96亿元，同比增长30.69%。 公司业绩放量增长，产品竞争优势助推业绩显著增量。受益于3DNAND向更高层数堆叠演进以及DRAM结构的复杂化，叠加先进工艺芯片加工光刻机受波长限制，采用多重模板工艺导致薄膜沉积和刻蚀工序大幅增长，促使产品需求量增加，公司营收迎来高速成长。25年公司刻蚀设备销售额约达98.32亿元，同比增长约35.12%，LPCVD设备营收约为5.06亿元，同比增长约224.23%。公司25年归母净利润增速强劲，主要系25年公司毛利较24年增长约11.28亿元。此外市场对公司新设备开发需求旺盛，促使公司25年研发投入高增，全年研发投入约37.44亿元，较2024年增长12.91亿元，同比增长约52.65%，全年研发费用约达24.75亿元，同比增长约74.61%。我们认为，未来随着公司针对先进逻辑和存储的刻蚀设备营收或将持续放量，公司业绩长期上行空间有望持续拓宽。 产品研发进入密集量产验证期，有望穷实长期业绩增长基础。CCP方面，公司用于关键刻蚀工艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长，目前可全面覆盖存储器刻蚀应用中各类超高深宽比需求，2025年CCP刻蚀设备累计装机量超过5000台，连续十年保持大于30%的年平均复合增速；ICP方面，适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得良好进展。截至25年底，公司累计有超7800个反应台量产覆盖170余条芯片及LED产线，刻蚀设备反应台全球累计出货超过6.800台。薄膜设备方面，公司针对先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等十多款导体和介质薄膜设备顺利进入市场，设备性能达到国际领先水平。目前公司部分设备已获得重复性订单，薄膜设备累计出货量突破三百个反应台，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进；MOCVD新产品进入客户端验证阶段，部分新设备已付运至国内先进制程客户开展验证。我们认为，公司设备布局深化和产业化应用或将赋能公司新业绩增长曲线。 盈利预测与评级：结合公司25年刻蚀和薄膜设备营收增量和研发投入高增，我们预计2026-2028年公司归母净利润为30.65/41.73/51.79亿元，对应当前市值的PE分别为62.59/45.97/37.04倍，考虑到公司行业地位与技术优势领先，维持“买入”评级。 风险提示。晶圆厂扩产节奏不及预期，新产品研发不及预期；上游供应链风险等。

     中微公司(688012) 投资要点 营收&业绩稳健增长，薄膜产品持续放量：2025年公司营收为123.9亿元，同比+36.6%，其中刻蚀设备收入98.3亿元，同比+36.6%，LPCVD设备收入5.1亿元，同比+224.2%；归母净利润为21.1亿元，同比+30.7%，扣非净利润15.5亿元，同比+11.6%。Q4单季营收43.2亿元，同环比+21.5%/+39.3%；归母净利润为9.0亿元，同环比+28.1%/+78.2%，扣非归母净利润为6.6亿元，同环比+13.8%/+88.6%。 公司毛利率略降，研发投入&效率大幅提升：2025年公司综合毛利率为39.2%，同比-1.9pct；销售净利率为16.7%，同比-1.1pct；扣非净利率为12.5%，同比-2.8pct。期间费用率为27.5%，同比+2.2pct，其中销售费用率为4.0%，同比-1.3pct，管理费用率为3.9%，同比-1.5pct，财务费用率为-0.4%，同比+0.6pct，研发费用率为20.0%，同比+4.3pct；期间公司研发投入37.4亿元，同比+52.7%。Q4单季毛利率为39.3%，同比持平/环比+1.4pct；销售净利率为20.4%，同环比+0.7pct/+4.5pct；扣非净利率为15.3%，同环比-0.9pct/+4.1pct。 存货&合同负债稳步增长，在手订单充足：截至2025Q4末公司合同负债为30.4亿元，同比+17.7%；存货为71.7亿元，同比+1.9%。2025年公司经营性现金流为23.0亿元，Q4单季为10亿元，现金流稳定。 平台化布局持续推进，将覆盖刻蚀、薄膜、量检测等核心工艺：（1）刻蚀设备：①CCP设备：60比1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备，量产指标稳步提升，下一代90比1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场。②ICP设备：适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展。③高选择比设备：于2026年SEMICON发布Primo Domingo高选择比刻蚀设备，充分适配下一代GAA逻辑、3DNAND及DRAM的高选择比刻蚀需求。（2）薄膜沉积设备：LPCVD、PECVD、ALD、EPI等多款薄膜设备已经顺利完成多个先进逻辑、存储客户验证，陆续进入量产；公司同步推进多款CVD、ALD、PVD开发，持续推进薄膜产品覆盖率。（3）量检测设备：成立子公司超微公司引入电子束检测设备领军人才，电子束检测设备有望加速落地。 收购杭州众硅，切入湿法CMP领域：拟通过发行股份方式购买杭州众硅，最终交易价格为15.7亿元。众硅12寸大硅片设备已批量交付国内头部厂商，技术实力强劲，本次收购旨在提升中微在成套工艺方案与全流程覆盖方面的竞争力；众硅承诺公司2026-2028年分别实现并表营收2.8/4.3/5.8亿元。 盈利预测与投资评级：考虑到下游半导体厂商验证周期较长，我们调整公司2026-2027年归母净利润为27.3（原值34.1）/34.6（原值44.6亿元），预计2028年归母净利润为42.6亿元，当前市值对应动态PE分别为73/57/47倍，考虑到下游晶圆厂资本开支持续增长、公司平台化持续推进，维持“买入”评级。 风险提示：晶圆厂扩产节奏不及预期，新品研发&产业化不及预期等。

     中微公司(688012) 投资要点： 公司发布2025年度业绩快报，符合我们预期：2025年实现营业收入约123.85亿元，同比+36.62%；预计实现归母净利润约21.11亿元，同比+30.69%。同期公司研发投入约37.44亿元，同比+52.65%，研发费用率为30.23%。 刻蚀设备主业维持稳健增长，公司2025年刻蚀设备实现销售98.32亿元，同比+35.12%，收入占比约79.39%，为公司核心收入来源。1）行业需求侧来看，多重图案化与3D存储结构升级持续提升刻蚀与沉积设备强度。逻辑制程由7nm向5nm及以下演进，3DNAND由100+层向200+层、由单deck向双/三deck发展，带动单晶圆工艺步数及对应设备SAM提升至约1.7–2.0倍，行业需求呈结构性扩张。2）公司在先进逻辑关键刻蚀及存储超高深宽比刻蚀环节实现稳定量产，CCP覆盖高深宽比需求；面向下一代逻辑与存储的ICP及化学气相刻蚀设备已具备单原子级加工精度与重复性。截至2025年底，公司反应台累计装机超7,800台，覆盖170余条芯片及LED产线。 公司薄膜业务增速显著快于整体，收入占比持续提升；产品矩阵延伸至多领域。公司LPCVD及ALD设备2025全年实现销售5.06亿元，同比+224.23%，收入占比由2024年的1.72%提升2.36pct至4.09%。产品层面，公司已覆盖先进存储与逻辑器件的多款LPCVD、ALD设备，近两年新开发十余种薄膜设备并部分实现量产出货，LPCVD累计出货超300个反应台。外延方面，公司硅及SiGeEPI设备进入量产验证，减压EPI向先进制程延伸。化合物半导体及显示领域，公司保持GaN基MOCVD设备领先地位，布局SiC、GaN功率器件及Micro-LED方向，部分新品进入验证阶段，SiC外延及红黄光LED设备已付运客户端验证。 投资建议：考虑到公司25年加强研发投入，我们调整2025年归母净利润为21.11亿元（前值为21.81亿元）。先进逻辑制程推进与高层数3DNAND演进带来工艺复杂度提升，推动单线设备投入强度与可服务市场持续扩张，有望提升公司中期业绩增长上限。在刻蚀和薄膜两条核心工艺主线上，公司已切入关键制程并形成批量应用基础，受益路径清晰，具备较强稀缺性与成长弹性。我们预计公司2025–2027年归母净利润分别为21.11/31.58/42.78亿元，对应同比增长30.7%/49.6%/35.4%，对应PE分别为103.5x/69.2x/51.1x。维持"买入"评级。 风险提示：先进制程及存储扩产节奏不及预期；下游晶圆厂资本开支波动；新产品验证及放量进度低于预期；核心零部件及供应链稳定性风险。

     中微公司(688012) 2025营收符合预期，国产半导体设备龙头增速保持强劲：公司发布2025全年业绩预告。营业收入约123.85亿元（人民币，下同），符合我们和市场预期，同比增长37%。研发投入约37.4亿元，占总营收的30.2%。归母净利润为20.8-21.8亿元，中位数同比增长32%，超过我们的预期（19.4亿元）和VA一致预测（20.8亿元）。扣非归母净利润约15.0-16.0亿元，中位数同比增长12%。报告期内，公司在离子刻蚀设备、LPCVD、MOCVD等各领域均取得重要进展。刻蚀设备方面，针对先进逻辑和存储器件关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升。薄膜沉积方面，多款新型产品进入市场，LPCVD设备累计出货量突破300个反应台。EPI设备已顺利进入客户端量产验证阶段。公司几款MOCVD新产品进入客户端验证阶段。同时，新兴8寸碳化硅外延设备、新型红黄光LED应用设备已付运至中国内地领先客户开展验证。 收购杭州众硅切入CMP领域，持续推进平台化布局：2025年12月，公司公告正筹划通过发行股份方式购买杭州众硅电子科技有限公司（杭州众硅）。杭州众硅主营12寸高端机械平坦化抛光（CMP）设备研发、生产和销售，产品主要用于湿法工艺。我们认为杭州众硅的高端CMP业务与中微现有业务高度互补，有利于中微构建平台化半导体公司，提供结合等离子刻蚀、沉积、检测、湿法为一体的更具竞争力的产品解决方案。 上调目标价：考虑到公司针对先进逻辑和存储的ICP产品未来进一步放量，90：1CCP刻蚀设备或已推向市场，薄膜沉积设备种类持续丰富且覆盖率不断增加，以及在CMP领域的多元化进展。我们上调中微公司2026/27年营收预测到162.0/193.6亿元（前值160.7/192.1亿元）。我们预测2026/27年毛利率将攀升至40.8%/41.0%。上调2026/27年归母净利润预测至34.6/42.8亿元（前值32.4/40.2亿元）。考虑到存储/逻辑电路制造均出现供不应求，对上游设备需求或持续高涨，且A股市场流动性充裕，我们上调目标价到415元（前值325元），对应2027年60倍（前值50倍）市盈率，维持买入评级。

     中微公司(688012) 结论与建议： 公司公告拟通过增发及现金支付方式收购杭州众硅65%的股权。通过本次幷购，公司将成为具备“刻蚀+薄膜沉积+量检测+湿法”四大前道核心工艺的厂商，成功实现从“干法”向“干法+湿法+量检测”整体解决方案的关键跨越。公司成长空间进一步打开。目前公司股价对应2027年PE42倍，维持买进的评级。 拟增发收购杭州众硅，平台化战略更进一步。公司公告，拟向不超过35名的特定投资者非公开发行股票及支付现金方式收购杭州众硅(CMP设备)64.7%的股权，若收购完成，公司将持有共计76.7%的杭州众硅股权（原中微临港持有12%）。标的公司创始人为顾海洋博士及团队人员主要是来源于应材、泛林等龙头企业，当前已成为国内少数掌6至12英寸全制程CMP工艺开发与设备落地能力的厂商。杭州众硅2025年前11个月营收1.28亿元，超2024年全年5287万元规模，前11个月亏损1.2亿元。截至公告日，本次交易相关的审计、评估工作尚未完成，标的资产拟定交易价格尚未最终确，仅确定增发价格为前20日的均价216.77元/股，较目前股价折让21%。通过本次幷购双方将形成显著的战略协同，公司将成为具备“刻蚀+薄膜沉积+量检测+湿法”四大前道核心工艺的厂商，实现从“干法”向“干法+湿法+量检测”整体解决方案的关键跨越，向半导体平台化企业迈出关键的一步。 3Q25营收增长好于预期，新设备收入增长迅猛：2025年前三季度公司实现营收80.6亿元，YOY增长46.4%；实现净利润12.1亿元，YOY增长32.7%,EPS1.94元。其中，3Q25公司实现营收31亿元，YOY增长50.6%，实现净利润5.1亿元，YOY增长27.5%。3Q25公司营收好于预期。从毛利率来看，2025年前三季度公司综合毛利率39.1%，较上年同期下降3.1个百分点。截止3Q25，公司合同负债43.9亿元，较上季度末增加39%，在当季大量确认收入的同时，新增订单增长更快，整体业绩表现超预期。。 盈利预测：我们预计公司2025-27年实现净利润21亿元、30.9亿元和40.3亿元，YOY分别增长31%、46%和30%，EPS分别为3.42元、4.97元和6.48元，目前股价对应2025-27年PE分别为80倍、55倍和42倍，考虑到中美科技争端激烈，半导体设备本土化需求迫切，给予买进的评级。 风险提示：半导体设备需求下降。

     中微公司(688012) 投资要点： 事件：公司公告拟通过发行股份方式购买杭州众硅电子科技有限公司（下称“众硅科技”）控股权并同步募集配套资金。公司股票自2025年12月19日起停牌，预计停牌时间不超过10个交易日。 众硅科技成立于2018年，主要从事CMP设备及配套系统研发制造，产品布局覆盖6–12英寸CMP整机、单模组CMP、抛光液供液系统（SDS）及ECMP等。其中，12英寸高端CMP设备已批量应用，8英寸先进CMP设备通过SEMI认证并导入多家晶圆厂产线。 CMP（化学机械抛光）设备价值量约占半导体设备投资总额的4%，市场集中度较高。1） CMP通过化学反应与机械去除协同实现晶圆表面高精度平坦化，是当前唯一能够有效抛光铜互连金属层的关键工艺，广泛应用于晶圆制造及TSV、2.5D/3DIC等先进封装环节。2）据头豹，预计2025-2029年，中国半导体化学机械抛光设备行业市场规模由183亿元人民币增长至486亿元人民币，期间年复合增长率27.7%；3）CMP行业竞争格局高度集中，根据Gartner，AppliedMaterials与日本荏原合计占据全球约93%的CMP市场份额，尤其在14nm以下先进制程产线中形成垄断。 公司此次筹划收购众硅科技，核心意义在于补齐湿法关键工艺、完善前道核心设备体系，加速向平台型半导体设备厂商演进。1）工艺上，公司现有产品以刻蚀、薄膜沉积等真空干法设备为主，而CMP是湿法工艺中不可替代的核心环节，与刻蚀、沉积共同构成除光刻机外最关键的前道工艺装备组合。通过并购切入CMP领域，公司有望实现“刻蚀—沉积—平坦化”工艺系统覆盖，提升体解决方案竞争力。2）战略上，本次交易推动公司由单一设备龙头向“集团化、平台化”设备企业迈出关键一步。 投资建议：维持"买入"评级。我们预计公司2025–2027年归母净利润分别为21.81/31.58/42.78亿元，对应同比增长35.0%/44.8%/35.4%，对应PE分别为74.8x/51.6x/38.1x。在晶圆厂扩产与国产替代推进下，本次收购补齐CMP关键工艺，完善前道设备体系，推动公司平台化发展并强化中长期成长性。 风险提示：化学机械抛光设备市场拓展不及预期、标的公司业务整合进度不及预期。

     中微公司(688012) 投资要点 切入湿法CMP设备领域，完善成套工艺平台能力：2025年12月18日，公司公告拟通过发行股份方式购买杭州众硅，本次交易尚处于筹划阶段，具体交易方式与方案待后续披露。此前公司于2024年12月通过B轮投资首次持股杭州众硅，并于2025年9月联合上海国投与孚腾资本等再次对其进行战略投资。截至此次公告发布前，中微公司共持股杭州众硅12.04%股份，为其第二大股东。杭州众硅主营12寸高端CMP设备，属于湿法工艺核心装备，与中微现有的刻蚀、薄膜沉积等干法设备构成高度互补。本次收购旨在提升中微在成套工艺方案与全流程覆盖方面的竞争力，代表公司向“集团化、平台化”加速演进。 杭州众硅技术底蕴深厚，自主研发国内首台大硅片CMP设备：杭州众硅成立于2018年，由顾海洋博士创立。顾博士本科毕业于浙江大学金属材料工程专业，后赴美深造，在密苏里大学罗拉分校取得博士学位；在国际半导体行业深耕多年，亲历130nm至14nm多个技术节点的设备迭代。公司成立后持续攻关CMP核心技术，2021年实现6英寸第三代半导体CMP设备突破，2022年自主研制出国内首台12英寸大硅片CMP量产设备并获首台认定，填补国内空白，2023年已交付国内头部厂商投入产线应用。 平台化布局持续推进，将覆盖刻蚀、薄膜、量检测、湿法等核心工艺：（1）CCP设备：60比1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备，量产指标稳步提升，下一代90比1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场。（2）ICP设备：适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展。（3）薄膜沉积设备：LPCVD、ALD等多款薄膜设备已经顺利进入市场，硅和锗硅外延EPI设备已顺利运付客户端进行量产验证，并且获得客户高度认可。（4）量检测设备：成立子公司超微公司引入电子束检测设备领军人才，电子束检测设备有望加速落地。 盈利预测与投资评级：我们维持公司2025-2027年归母净利润预测为24.4/34.1/44.6亿元，当前股价对应动态PE分别为70/50/38倍，维持“买入”评级。 风险提示：晶圆厂扩产节奏不及预期，新品研发&产业化不及预期等。

     中微公司(688012) 投资要点 ICP刻蚀加速增长。2025H1，公司ICP刻蚀设备已在逻辑、DRAM、3D NAND等领域超50家客户产线实现大规模量产，同时持续推进更多ICP刻蚀工艺验证，截至报告期末，设备累计装机反应台超1200台。2025H1等离子体刻蚀设备新签订单中，ICP设备的占比略高于CCP设备的占比，ICP快速起量。新产品方面，PrimoMenova12寸ICP单腔刻蚀设备聚焦金属刻蚀领域，擅长Al线、Al块刻蚀，适配功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造，是晶圆厂金属化工艺核心设备。该设备刻蚀均一性优异，兼具高速率、高选择比、低介质损伤特性；搭载高效腔体清洁工艺，可减少污染、延长运行时长；集成高温水蒸气除胶腔室，能高效清除刻蚀后晶圆表面的光刻胶及副产物；主刻蚀与除胶腔体支持灵活组合，可满足高生产效率需求，保障高负荷工况下的稳定性与良率。公司紧跟客户与市场技术需求，稳步推进先进ICP刻蚀技术研发，以满足新一代逻辑、DRAM及3D NAND存储芯片的制造需求。 刻蚀受益于存储扩产。在存储芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件的量产。公司致力于提供超高深宽比掩膜（≥40:1）ICP刻蚀设备和超高深宽比介质刻蚀(≥60:1)CCP刻蚀设备的解决方案。配备超低频偏压射频的用于超高深宽比掩膜刻蚀的ICP刻蚀机目前已经在生产线上大规模应用，工艺能力可以满足国内最先进的存储芯片制造的需求。配备超低频高功率偏压射频的用于超高深宽比介质刻蚀的CCP刻蚀设备也在最关键的超高深宽比刻蚀工艺大规模生产，并逐步拓展应用。2025年前三季度，公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。 投资建议 我们预计公司2025/2026/2027年分别实现收入121/157/198亿元，归母净利润21/31/43亿元，维持“买入”评级。 风险提示 下游客户扩产不及预期的风险，员工股权激励带来的公司治理风险，政府支持与税收优惠政策变动的风险，供应链风险，行业政策变化风险，国际贸易摩擦加剧风险，研发投入不足导致技术被赶超或替代的风险。

     中微公司(688012) 投资要点： 投资建议：首次覆盖，给予“买入”评级。我们预计公司2025–2027年归母净利润分别为21.81/31.59/42.79亿元，对应同比增长35.0%/44.8%/35.5%，对应PE为78.61x/54.28x/40.07x。当前估值虽高于部分同业，但基于公司1）刻蚀设备在主流晶圆厂不断验证，应用于先进逻辑节点；2）薄膜沉积产品线在LPCVD、ALD、金属栅、金属钨等关键工序实现突破，新产品已陆续进入规模化放量阶段，在半导体设备行业中具备稀缺性，我们认为应给予一定估值溢价。 行业与公司情况：公司是中国前道核心工艺设备领先厂商，刻蚀产品覆盖CCP与ICP两大体系，已满足65nm至5nm及更先进节点需求，并在国内外一线客户实现规模化导入。公司加速布局薄膜沉积与外延装备，同时拓展光学与电子束量测及多类泛半导体微加工设备。行业方面，全球半导体设备市场2024–2027年将保持复苏，我们预计市场规模由2024年的1,255亿美元增至2027年的1,505亿美元，CAGR=11.3%。中国大陆市场在晶圆厂扩产与国产替代推动下，由2024年的491亿美元增至2027年的662亿美元。 关键假设点：1）多重图案化与3D存储结构驱动刻蚀和薄膜沉积设备需求提升。随着逻辑制程从7nm向5nm及以下推进，以及3DNAND层数由100+层向200+层、单deck向双/三deck演进，刻蚀与沉积的单晶圆片工艺步数与设备SAM均提升约1.7–2.0倍。我们认为公司凭借在高深宽比刻蚀、金属栅与钨填充沉积等关键节点的技术储备与验证进展，有较强能力承接先进制程扩容带来的结构性增量。2）薄膜沉积业务进入规模化阶段，新增订单贡献第二增长曲线。公司LPCVD、ALD等新品相继通过客户验证并形成批量出货，2025前三季度该业务收入约4亿元，同比增幅超1300%。同时，硅及SiGe外延（EPI）设备已陆续导入头部客户的量产验证环节，外延产品线加速从研发向商业化转变。我们假设沉积设备2025–2027年保持放量，公司收入结构逐渐多元化，并成为未来毛利率改善主要来源。 有别于市场的认识：市场多将关注点放在国产替代进程上，但我们认为未来三年公司业绩的关键驱动力更可能来自先进逻辑及高层数3DNAND在深宽比、均匀性与材料结构上的持续演进，由此带来刻蚀与薄膜沉积环节的结构性SAM提升；在这两条工艺主线中，公司产品已进入核心制程验证与批量应用阶段，具备相对更明确的受益基础。 股价表现的催化剂：公司薄膜沉积产品线放量；公司先进工艺验证进展加速；中国主流晶圆厂资本开支上修；AI驱动算力存力投资上行。 风险提示：先进工艺验证不及预期风险、下游晶圆厂扩产不达预期风险、竞争加剧及价格压力风险、新产品良率爬坡不及预期风险。

     中微公司(688012) 事件 公司2025年第三季度实现营业总收入31亿元，同比增加51%，环比增加11%；归母净利润5亿元，同比增加28%，环比增加29%；扣非净利3亿元，同比增加5%，环比增加45%。 刻蚀基本盘稳固，薄膜新品爆发增长 公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，前三季度，公司刻蚀设备实现收入约61亿元，同比增长38%。薄膜设备迎来爆发期，LPCVD、ALD等新产品顺利放量，前三季度收入约4亿元，同比激增超1300%。此外，硅和锗硅外延EPI设备已运付客户端进行量产验证，公司半导体设备布局持续完善。 研发加码驱动创新提速，平台化战略加速落地 公司坚持高强度研发策略，前三季度研发支出约25亿元，同比大幅增长63%，占营收比例高达31%。公司研发效率大幅提升，新设备开发周期已大幅缩短至2年以内。目前公司在研项目涵盖6类设备、超20款新品。随着先进逻辑和存储关键工艺的高端产品付运提升，公司正加速向平台型设备公司迈进。 投资建议 我们预计2025-2027年公司归母净利润分别为24.76、34.09、42.90亿元，对应的EPS分别为3.95、5.44、6.85元，对应最新收盘价PE分别为66x、48x、38x。维持公司“买入”评级。 风险提示 研发进度不及预期、产业竞争加剧、贸易摩擦加剧。

     中微公司(688012) 投资要点： 中微公司是国内半导体设备的龙头企业之一，主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀、薄膜沉积、MOCVD等设备。公司深耕集成电路制造核心设备领域，主要产品包括刻蚀与薄膜沉积设备两大类：刻蚀设备方面，公司的等离子体刻蚀设备已广泛应用于国际一线芯片制造商的先进制程产线；薄膜沉积领域，公司近年来成功开发的LPCVD和ALD设备已通过客户验证，多款产品进入市场并获大批量重复订单。在泛半导体设备领域，公司氮化镓MOCVD设备保持全球领先，随着全球半导体产业向三五族化合物半导体加速拓展，尤其在Mini/Micro LED新型显示、新能源汽车功率器件等领域的需求持续释放，MOCVD设备作为关键工艺装备，市场空间将进一步扩大此外，公司积极把握半导体设备市场新机遇，通过子公司超微、中微惠创、中微汇链等在量检测设备、环保设备、工业互联网等领域积极拓展，构建多元化的业绩增长点。为满足业务快速增长需求，公司持续保持高强度研发投入，2025年前三季度研发费用达17.94亿元，同比增长96.30%，研发费用率高达22.25%，未来五到十年，公司计划通过自主研发与产业合作，覆盖集成电路关键领域超过60%的设备市场，实现高质量可持续发展。 公司以CCP刻蚀设备为核心，并顺利研发ICP刻蚀设备，覆盖95%以上的刻蚀应用需求，伴随先进制程与三维存储技术的迭代，刻蚀设备的需求将进一步提升。制程进步伴随着工艺尺寸的进一步缩小大幅度提升了对刻蚀设备的需求，根据SEMI，一片7nm芯片在生产过程中需经历约140次刻蚀工艺，相比28nm制程所需的40次，增长超过2.5倍。公司12英寸高端刻蚀设备已实现从65nm至5nm及更先进制程的量产应用，面向5nm以下节点，公司正积极推进下一代机型研发，旨在进一步提升刻蚀选择比、均匀性及量产稳定性。三维存储方面，堆叠层数的不断增加不仅对刻蚀设备的需求提升，在深宽比能力方面也提出更高要求。公司开发的超高深宽比掩膜ICP刻蚀设备与超高深宽比介质CCP刻蚀设备已在先进存储制造产线中大规模应用。目前，公司已成功研制出三代共18种等离子体刻蚀设备，主要聚焦CCP刻蚀设备，ICP刻蚀设备进展顺利，2025年前三季度，公司刻蚀设备营收61.01亿元，同比增长约38.26%，占总营收约76%。 薄膜沉积和MOCVD外延设备方面，公司已成功发布六款薄膜沉积产品，覆盖存储器件及先进逻辑器件的钨、金属工艺需求；公司氮化镓MOCVD设备保持全球领先，将进一步向mini/micro LED和功率器件延伸。1）2025年前三季度，LPCVD和ALD等薄膜设备收入4.03亿元，同比增长1332.69%。钨系列产品方面，公司提供CVD钨、HAR钨及ALD钨设备，可满足存储器件所有钨应用场景，包括高深宽比金属互联及三维存储器件字线应用；金属栅极应用领域，公司推出的金属栅系列产品涵盖ALD氮化钛、ALD钛铝及ALD氮化钽等多款设备，在薄膜均匀性、污染物控制与生产效率等关键指标上均达到国际先进水平，全面满足先进逻辑制程需求。2）公司2024年MOCVD设备营收3.79亿元，同比下降18.03%。公司是氮化镓基LED市场最大的MOCVD设备供应商，凭借PRISMO A7、HiT3及UniMax等系列产品持续服务全球客户。公司亦积极拓展MOCVD技术应用边界，新一代硅基氮化镓设备与碳化硅外延设备正分别处于研发与验证阶段。尽管受LED市场波动影响，公司通过向高端显示、功率半导体等领域的拓展，有望开辟新的增长空间。 投资建议：首次覆盖，给予买入评级。作为国内龙头的半导体设备公司，公司深耕刻蚀设备，同时切入更多细分市场，进一步打开业绩成长空间。我们预计公司2025-2027年营业收入分别为120.74、156.40和197.88亿元，同比增速分别为33.19%、29.54%和26.52%归母净利润分别为20.46、32.04和43.44亿元，同比增速分别为26.62%、56.60%和35.60%对应2025-2027年的PE分别为87、55和41倍。 风险提示：产品研发及验证进度不及预期风险；地缘政治风险；下游需求不及预期的风险。

     中微公司(688012) 投资要点： 技术壁垒深厚，核心产品领跑国产替代。中微公司是国内半导体高端装备龙头，核心产品覆盖等离子体刻蚀设备、MOCVD设备及薄膜沉积设备，技术实力稳居行业前列。刻蚀设备领域，截至2025H1，CCP刻蚀设备累计装机超4500个反应台；ICP刻蚀设备累计装机接近1200个反应台，NanovaLUX-Cryo等机型获重复订单。MOCVD设备在氮化镓基领域全球领先，PRISMOUniMax等机型主导高端Mini-LED显示外延片市场，同时推进氮化镓、碳化硅功率器件设备研发，2025年新一代功率设备有望进入客户验证。薄膜沉积设备已推出6款产品，钨系列覆盖存储与逻辑关键应用，金属栅系列产品性能达国际先进水平，独创方案实现60:1深宽比填充突破，多类产品获头部客户量产订单，持续巩固国产设备技术话语权。 研发与团队双轮驱动，成长动能强劲。公司构建了国际化、高学历的核心团队，创始人尹志尧博士拥有三十余年半导体设备经验，2024年研发人员达1190人，占员工总数47.98%，硕博占比54.71%，跨学科技术储备深厚。研发投入持续加强，2025年上半年增至14.92亿元（yoy：+53.70%），占营业收入比例约为30.07%，截至2025年年中，公司在研项目涵盖六类设备，包含多个关键制程工艺的核心设备开发。同时，公司通过大规模股权激励绑定核心人才，2024年激励覆盖1798人（占比99.72%），2025年计划授予不超过1200万股限制性股票，考核目标锚定营收增速对标行业均值，为长期创新与业绩增长提供保障。2025年上半年营收49.61亿元、归母净利润7.06亿元，LPCVD设备收入同比激增608.19%，新品放量推动增长韧性凸显。 受益行业高景气，市场空间广阔。全球半导体设备市场规模超千亿美元，2024年达1090亿美元，刻蚀设备作为核心环节（Gartner数据显示2022年占比22%），2024年全球半导体刻蚀设备市场规模预计为256.1亿美元，2024-2029年CAGR预计为7.6%，AI、5G、3DNAND等驱动刻蚀工艺复杂度与设备需求提升，3DNAND向千层堆叠演进更放大高深宽比刻蚀设备价值。国内市场方面，中国大陆半导体设备国产化率快速提升。公司作为国产刻蚀设备领军者，南昌、上海临港基地投产，广州、成都基地规划落地后有望进 一步支撑产能扩张，叠加三维立体发展战略，有望持续受益于国内晶圆厂扩产与全球技术竞争，长期成长确定性较高。 盈利预测与评级：我们预计公司2025-2027年归母净利润分别为23.25/31.44/42.21亿元，同比增速分别为43.90%/35.23%/34.27%，当前股价对应的PE分别为82.44/60.96/45.40倍。我们选取芯源微、拓荆科技为可比公司，测得同行业可比公司2025年平均估值为102.36倍，鉴于中微公司在刻蚀设备的龙头地位，维持“买入”评级。 风险提示：下游客户扩产不及预期的风险、研发风险、上游供应链风险等。

     中微公司(688012) 结论与建议： 3Q25公司营收增长51%，同时合同负债环比增长39%，体现公司较多订单确认收入的同时，新增订单增长更快，整体业绩表现超预期。 作为国内半导体刻蚀设备领域的龙头，公司不断向其他领域（薄膜、量检测）扩张。公司预计未来五到十年，将通过自主研发以及外延幷购等方式，实现对集成电路关键领域超过60%的设备市场的覆盖，成长空间进一步打开。目前公司股价对应2027年PE44倍，维持买进的评级。 3Q25营收增长好于预期，新设备收入增长迅猛：2025年前三季度公司实现营收80.6亿元，YOY增长46.4%，其中刻蚀设备收入61亿元，同比增长约38%；LPCVD和ALD等薄膜设备收入4亿元，同比增长约1333%;实现净利润12.1亿元，YOY增长32.7%,EPS1.94元。其中，3Q25公司实现营收31亿元，YOY增长50.6%，实现净利润5.1亿元，YOY增长27.5%。3Q25公司营收好于预期。从毛利率来看，2025年前三季度公司综合毛利率39.1%，较上年同期下降3.1个百分点。截止3Q25，公司合同负债43.9亿元，较上季度末增加39%，在当季大量确认收入的同时，新增订单增长更快，整体业绩表现超预期。公司预计未来五到十年，将通过自主研发以及外延幷购等方式，实现对集成电路关键领域超过60%的设备市场的覆盖，成长空间进一步打开。 中国先进制程扩张，有利公司份额提升：美国对中国半导体产业持续施压，多次对于中国晶圆制造、设计关键设备及工具造成断供的威胁。因此，中国在高阶GPU产品、存储产品的需求缺口急需用先进制程来填补。未来中国会有更多资金、政策向包括光刻机、EDA工具在内的先进制程倾斜，中国半导体产业有望迎来新一轮先进工艺产能扩张。公司作为国内核心半导体设备企业，在刻蚀、薄膜领域有相当的技术储备，有望在中国发展先进制程的过程中受益。 盈利预测：我们预计公司2025-27年实现净利润21亿元、30.9亿元和40.3亿元，YOY分别增长31%、46%和30%，EPS分别为3.42元、4.97元和6.48元，目前股价对应2025-27年PE分别为82倍、57倍和44倍，考虑到中美科技争端激烈，半导体设备本土化需求迫切，给予买进的评级。 风险提示：半导体设备需求下降。

     中微公司(688012) 3Q25营收超预期，国产半导体设备龙头增速保持强劲：3Q25营收31.0亿元（人民币，下同；同比增50.6%），超过我们之前预期。毛利率37.9%，我们认为主要因为新产品在爬坡前期或摊薄毛利率水平，管理层之前指引长期毛利率水平或在40%左右。3Q25研发费用率21.8%，环比降1.5个百分点，1-3Q25研发费用率约为31.3%。我们认为公司收入主要由研发驱动，随着产品日益高端化，研发费用处于高水平或助公司持续推出新产品。 3Q25归母净利润5.05亿元，符合我们之前预期。 刻蚀产品继续拓展，薄膜沉积产品持续上线：3Q25刻蚀设备收入23.2亿元，同比增长35.3%。管理层提到90：1超高深宽CCP即将进入市场，我们在之前报告中深挖超高深宽比设备在先进存储器件和逻辑电路制造中的重要作用，并认为中微产品或接近世界先进水平。我们认为公司ICP产品营收潜力或进一步释放，并维持ICP收入2026年超过CCP产品的预测。我们测算3Q25薄膜沉积产品收入或在2.04亿元左右（现在主要是LPCVD和ALD产品）。公司称其硅和锗硅外延EPI设备已顺利运付客户端进行量产验证。2024年末薄膜沉积在手订单4.76亿元，1-3Q25实现薄膜沉积收入4.03亿元，我们上调2025全年薄膜沉积收入到6.30亿元（前值4.98亿元）。我们认为包括以上产品在内的薄膜沉积设备陆续投放市场，ICP放量和90：1CCP刻蚀设备进入市场或是公司业绩增长的重要驱动。 上调目标价：我们之前上调了中国内地半导体设备2025全年市场规模至520亿美元（同比增长5%），我们认为国产半导体设备公司业绩高增长的趋势或超之前市场预期。我们上调中微公司2025/26/27年营收预测到124.3/160.7/192.1亿元（前值123.0/159.3/190.1亿元）。我们预测之后公司毛利率温和回升到40%左右，并预测归母净利润19.4/32.4/40.2亿元（前值20.9/30.6/38.2亿元）。我们维持公司买入评级，上调目标价到325元（前值280元），对应2027年50倍市盈率。