盛美上海(688082) 投资要点： 投资建议：我们预计公司2025E/2026E/2027E营业收入分别为70.25/84.43/98.08亿元，同比增长25.1%/20.2%/16.2%；归母净利润分别为16.85/19.69/23.23亿元，同比增长46.1%/16.8%/18.0%，对应PE分别为46.2/39.5/33.5倍。首次覆盖，给予“买入”评级。 订单方面（截至2025年9月29日）：公司在手订单90.72亿元，结构明确指向存储晶圆厂扩产主线。根据公司公告，存储客户订单金额占比高于逻辑；我们以在手订单估算，存储相关订单规模至少45.36亿元，仅存储订单规模相当于2024年全年收入的80.7%。在中国存储厂商扩产确定性较强的背景下，公司有望充分受益并加速业绩兑现。 行业和公司情况：1）公司是中国最大的半导体清洗设备厂商。根据Gartner，公司在全球清洗设备市场市占率约8.0%，位列第四；在单片清洗设备领域，公司在中国市占率超30%。公司以单片清洗设备为核心，持续向半导体电镀、抛铜、先进封装湿法设备，以及立式炉管、前道涂胶显影（Track）和PECVD领域延伸布局，产品矩阵不断完善，平台化特征逐步增强。 2）行业：①全球半导体设备市场将保持复苏，我们预计市场规模由2024年的1,255亿美元增至2027年的1,505亿美元，CAGR=11.3%。中国大陆市场在晶圆厂扩产与国产替代推动下，由2024年的491亿美元增至2027年的662亿美元。②全球半导体清洗设备市场高度集中，尤其在单片清洗设备领域，DNS、TEL、LAM与SEMES四家公司合计市场占有率达到90%以上，其中DNS市场份额最高，市场占有率在33%以上。中国12英寸晶圆厂清洗设备主要来自DNS、盛美、LAM、TEL。 关键假设点：1）收入端：晶圆厂持续扩产，前道湿法工艺重要性提升，清洗设备需求保持高景气。假设公司半导体清洗设备收入2025E–2027E分别同比增长27.6%/22.1%/17.7%，对应收入由51.76亿元提升至74.35亿元。2）利润端：先进制程对清洗工艺提出更高要求，单机利润提升，假设清洗设备毛利率由2025年的49.4%提升至2027E的55.4%，推动公司整体盈利能力改善。 股价表现的催化剂：存储及逻辑晶圆厂扩产，公司在手订单向收入端持续转化，公司在先进制程/先进封装领域设备通过验证等。 风险提示：半导体行业周期波动风险、国产替代推进不及预期风险、技术迭代不确定性风险。

     盛美上海(688082) 主要观点： 事件：盛美上海公布2025年第三季度报告 2025年三季报正式披露，营业总收入51.46亿元，同比去年增长29.42%，归母净利润为12.66亿元，同比去年增长66.99%，基本EPS为2.87元，平均ROE为12.09% 公司定增顺利收官，研发持续投入向着平台型公司迈进 根据公司官方公众号，盛美上海2024年度向特定对象发行A股股票工作已顺利完成，本次发行新增股份已于2025年9月26日在中国证券登记结算有限责任公司上海分公司办理完毕股份登记熟悉。其中蔡资资金总额44.82亿元，主要投入研发和工艺测试平台建设项目、高端半导体设备选代研发项目和补充流动资金三大方向，为公司长期发展注入新动力。 投资建议 我们预计公司2025-2027年的营业收入分别为67.29亿/82.58亿/92.06亿元，维持前值预期。2025-2027年归母净利润预计分别为14.96亿/18.41亿/20.15亿元，对比此前预期2026-2027年净利润为17.62亿/19.34亿元有所提升。对应PE分别为50/41/37倍。维持“买入”评级。 风险提示 晶圆厂扩产进度不及预期，销售周期较长回款不及时。

     盛美上海(688082) 投资要点 全球首创SAPS/TEBO兆声波清洗技术和单片槽式组合清洗技术，先进制程清洗设备持续推进。在半导体清洗设备领域，据Gartner统计，公司全球市场占有率达8.0%（位居全球第四）。根据部分中国厂商统计，公司单片清洗设备中国市场占有率超30%，在国内外全部清洗设备供应商中，中国市场占比位列第二；2025年3月，公司自主研发的单晶圆高温SPM设备已成功通过关键客户验证，该工艺对下一代半导体器件制造具备重要价值。除此之外，公司SAPS兆声波单片清洗设备目前已应用于逻辑28nm技术节点及DRAM19nm技术节点，并可拓展至逻辑芯片28nm、DRAM18/19nm技术节点、32/64层3D NAND工艺、高深宽比的功率器件及TSV深孔清洗应用，在DRAM上有70多步应用，而在逻辑电路FinFET结构清洗中有近20步应用；TEBO兆声波单片清洗设备主要针对45nm及以下图形晶圆的无损伤清洗，目前已应用于逻辑芯片28nm技术节点，已进行18-19nm DRAM工艺图形晶圆的清洗工艺评估，并可拓展至28nm逻辑芯片及nm级3D结构、高深宽比DRAM产品及多层堆叠3D NAND等产品中，在DRAM上有70多步应用，而在逻辑电路FinFET结构清洗中有10多步应用；单片槽式组合清洗设备应用于包括前段干法蚀刻后聚合物及残胶去除，抛光后研磨液残留物去除，离子注入后光刻胶残留物去除，通孔前有机残留物去除等工艺，目前已完成逻辑芯片40nm及28nm技术节点产线验证，并可拓展至28nm逻辑芯片、20nm DRAM及以上技术节点及64层及以上3D NAND，可用于20步及以上的高温硫酸及高温磷酸的清洗步骤。综上所述，公司通过差异化的创新和竞争，成功研发出全球首创的SAPS/TEBO兆声波清洗技术和单片槽式组合清洗技术。目前，公司的半导体清洗设备主要应用于12英寸的晶圆制造领域的清洗工艺，在半导体清洗设备的适用尺寸方面与国际巨头公司的类似产品不存在竞争差距。受益于大陆对集成电路产业的政策支持以及本土需求的提升，未来几年公司的主要客户将保持较高强度的资本开支节奏，进而带动清洗设备在内的半导体制造设备需求保持高景气。 立式炉管：首先集中在LPCVD，再向氧化炉和扩散炉发展，逐步进入到ALD设备应用。公司研发的立式炉管设备主要包括低压化学气相沉积炉、氧化退火炉、合金炉和原子层沉积炉，目前公司立式炉管设备技术储备丰富，炉管平台相关专利在20项以上，在成熟炉管平台的基础上，向高低介质常数原子层和高深宽比沟道材料填充以及其他特殊应用炉管方向拓展。一方面，公司进一步迭代研发，另一方面拓展新的炉管设备类型，旨在研发出高介质常数原子层沉积炉管（High K）、低介质常数原子层沉积炉管（Low K）、多晶硅深孔填充炉管设备、氧化硅低压化学气相沉积炉管、锗硅沉积炉管设备和超高温扩散炉，取得核心知识产权，通过客户端验证。当前，公司炉管产品已经进入多个中国集成电路晶圆制造厂，已通过验证并大量量产，其中等离子体增强原子层沉积炉管已进入中国2家集成电路晶圆制造厂，正在做更新优化和为量产准备。 Track：首台高产能Ultra Lith KrF系统顺利交付中国头部逻辑晶圆厂客户。公司于9月8日宣布推出首款KrF工艺前道涂胶显影设备Ultra Lith KrF，旨在支持半导体前端制造。首台设备系统已于2025年9月交付中国头部逻辑晶圆厂客户。公司的UltraLith KrF工艺前道涂胶显影设备基于其ArF工艺前道涂胶显影设备平台成熟的架构和工艺成果打造，该平台已于2024年底在中国一家头部客户端完成工艺验证。此次推出的KrF系统可均匀涂布次埃级涂层，具备先进温控技术以及与ASML光刻机匹配的关键尺寸（CD）精度，为KrF型号的设计优化奠定坚实基础。公司的UltraLith KrF工艺前道涂胶显影设备采用灵活工艺模块配置，配备12个旋涂腔和12个显影腔（12C12D），并搭载54块可精确控温的热板，支持低温、中温及高温工艺处理，具备优异的热均匀性。该设备产能超过300片晶圆/小时（WPH），并集成公司专利申请中的背面颗粒去除模块（BPRV），有效降低交叉污染风险。此外，集成的晶圆级异常检测（WSOI）模块可实现实时工艺偏差检测和良率异常监测，从而提高工艺稳定性和生产效率。 PECVD：自主知识产权腔体、气体分配装置和卡盘设计，已交付首台设备验证。公司推出的Ultra PmaxTM PECVD设备配置了自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更小的薄膜应力和更少的颗粒特性。Ultra PmaxTMPECVD设备的推出，标志着公司在前道半导体应用中进一步扩展到全新的干法工艺领域。基于Ultra PmaxTM PECVD设备平台基础上进行了改进，更好地兼顾了薄膜沉积的均匀性及设备的多应用兼容性，全新设计大幅缩减设备占地面积，有效节省产线部署空间；在超薄薄膜沉积工艺中表现卓越。2024年第三季度公司向中国的一家集成电路客户交付其首台PECVD设备，验证TEOS及SiN工艺。至此，公司形成“清洗+电镀+先进封装湿法+立式炉管+涂胶显影+PECVD”的六大类业务版图，支撑公司SAM可服务市场翻倍。 投资建议 我们预计公司2025/2026/2027年分别实现收入70/84/100亿元，实现归母净利润分别为17/20/25亿元，维持“买入”评级。 风险提示 技术更新风险，关键技术人才流失风险，市场竞争风险，市场开拓失败风险，下游资本开支不及预期的风险，应收账款回收的风险，存货跌价风险，宏观环境风险。

     盛美上海(688082) 投资要点 公司业绩稳健增长，Q1-Q3业绩同比+67%：2025Q1-Q3公司实现营收51.5亿元，同比+29.4%，主要系公司受益于中国半导体行业设备需求持续旺盛，并在新客户拓展和新市场开发方面取得了显著成效。期间公司实现归母净利润12.7亿元，同比+67.0%；扣非净利润为11.1亿元，同比+49.5%。Q3单季营收为18.8亿元，同比+19.6%，环比+4.0%；归母净利润为5.7亿元，同比+81.0%，环比+26.9%；扣非净利润为4.3亿元，同比+41.4%，环比+1.6%。 Q3净利率持续提升，维持高研发投入：2025Q1-Q3公司毛利率为49.5%，同比+1.1pct；销售净利率为24.6%，同比+5.5pct。期间费用率为25.6%，同比-1.8pct，其中销售费用率为8.3%，同比+0.3ct，管理费用率为4.0%，同比-1.6pct，研发费用率为13.4%，同比-0.2pct，财务费用率为-0.1%，同比-0.3pct。期间公司研发投入8.7亿元，同比+41.9%。Q3单季毛利率为47.5%，同环比+2.4pct/-3.2pct；销售净利率为30.3%，同环比+10.3pct/+7.4pct。 存货略增，经营性现金流环比转正：截至2025Q3末，公司合同负债为6.9亿元，同比-25.2%，存货为46.3亿元，同比+6.2%。2025Q3公司经营性活动现金流为0.7亿元，环比转正。 平台化布局清洗、电镀、涂胶显影等设备，有望充分受益于HBM新增清洗、电镀需求：公司坚持推行“技术差异化”和“产品平台化”的战略方针，成功布局清洗、电镀、涂胶显影、立式炉管、PECVD以及化合物半导体刻蚀等多种设备。（1）清洗设备：公司单片清洗设备国内市占率超30%，其SAPS、TEBO兆声清洗技术以及Tahoe高温硫酸清洗技术均已达到国际领先水平，用于下一代半导体器件的单晶圆高温SPM设备已成功通过关键客户验证。（2）电镀设备：公司已交付超1500电镀腔，其三维堆叠电镀设备能够处理3D TSV及2.5D Interposer的高深宽比铜电镀；前道大马士革铜互连电镀设备则适用于3D结构的FinFET、DRAM和3D NAND所需工艺；后道电镀设备则能满足Pillar Bump、RDL、HD Fan-Out和TSV中的铜、镍、锡、银、金等电镀工艺。（3）立式炉管设备：LPCVD已通过多家FAB验证并量产，ALD陆续进入客户端验证。（4）涂胶显影设备：公司的Ultra Lith涂胶显影设备支持包括i-line、KrF和ArF系统在内的各种光刻工艺，目前正在客户端进行验证。（5）PECVD设备：已在客户端验证TEOS及SiN工艺。（6）无应力CMP、刻蚀设备，有望陆续导入客户端验证。 盈利预测与投资评级：公司主业持续增长+产品品类不断拓展，我们上调2025-2027年归母净利润为18.2/22.4/25.5（原值为15.5/18.7/20.7）亿元，当前股价对应动态PE分别为46/37/33倍，维持“增持”评级。 风险提示：下游扩产不及预期，研发进展不及预期。