拓荆科技(688072) 事件：拓荆科技发布《2026年第三季度报告》，2026年前三季度实现营收52.20亿元，同比增长23.70%；实现归母净利润24.31亿元，同比增长336.79%。其中，2026Q3实现营收23.08亿元，同比增长1.84%；实现归母净利润10.88亿元，同比增长135.39%。 先进设备量产规模扩大，产品盈利能力增强。2026年前三季度，受益于先进存储、先进逻辑领域产品竞争力提升，PECVD、PE-ALD及沟槽填充等设备在客户端量产规模扩大，公司营收持续增长。在盈利能力方面，生产规模效应逐步释放，叠加先进产品、先进工艺设备实现量产应用，带动单位生产成本降低，前三季度毛利率达到41.65%，同比提升8.37个百分点。 持续加大研发投入，销售及研发费率下降。2026年前三季度公司发生销售费用3.10亿元，销售费率5.94%，同比降低0.29个百分点；发生管理费用2.96亿元，管理费率5.67%，同比增长0.72个百分点；发生研发费用5.90亿元，研发费率11.31%，同比降低0.18个百分点；发生财务费用0.18亿元，同比减少0.51亿元。 薄膜沉积设备加速放量，先进封装新产品持续突破。截至三季报披露日，公司累计出货超过4,400个设备反应腔，产品已广泛应用于先进存储、先进/成熟逻辑、先进封装等领域。①PECVD：截至2026H1，基于pX和Supra-D反应腔开发的系列工艺设备累计出货超过480个反应腔，PECVD Bianca先进工艺产品累计出货超过90个反应腔。②ALD：2026H1，公司多台PE-ALD SiO2、SiCO等工艺设备通过客户验证，在先进存储客户的量产规模快速攀升。③先进封装设备：2026H1，公司持续拓展芯片对晶圆熔融键合、键合界面空洞修复等新产品。三季报披露，新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品Dione300eX已顺利通过客户验证，公司表示该产品可达到国际同类产品最先进水平。 盈利预测 我们预计公司2026-2028年实现营收90.35、121.03、167.55亿元，实现归母净利润26.92、31.80、44.11亿元，对应PE55.14、46.67、33.65x，维持公司“买入”评级。 风险提示：下游需求不及预期风险；行业景气度波动风险；其他风险。

     拓荆科技(688072) 事件描述 公司发布2026年半年报。2026H1实现营业收入29.13亿元，同比+49.06%；扣非归母净利润3.67亿元，同比+861.92%。Q2单季收入18.00亿元，同比+44.56%，环比+61.85%，扣非归母净利润2.65亿元，同比+21.42%，环比+159.7%。 事件点评 公司是国内领先的薄膜沉积和三维集成设备供应商。目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备产品，以及晶圆对晶圆混合键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合、芯 片对晶圆熔融键合等三维集成设备产品，已广泛应用于先进存储、先进/成熟逻辑、先进封装、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。 先进产品放量收入高增，订单能见度高。报告期内，公司收入同比+49.06%，主要系先进产品批量通过客户验证，业务规模快速增长。26H1末合同负债51.31亿元，创历史新高，在手订单能见度充足；期末发出商品45.12亿元，较2025年末增长了2.18%，设备验收节奏加快。公司实现归母净利润13.43亿元，大幅跳增+1324.10%，主因持有恒运昌、珂玛科技、先锋精科等公司股票产生约9.60亿元公允价值变动收益，不具有可持续性。 规模效应与费用控制驱动盈利水平大幅改善。报告期内，公司毛利率为41%，同比+9.04pct，规模效应叠加先进新品量产是盈利能力改善核心驱动。扣非后销售净利率12.61%，同比+10.66pct；销售期间费用率27.45%，同比-4.42pct，规模效应持续释放利润空间。管理费用中股权激励费用1.22亿元（同比+359%），推高管理费用率至8.6%（同比+3.3pct），剔除后控费效果更为显著。 产品覆盖面持续拓展，先进产品获得海外重复订单。报告期内，公司已出货不同工艺PECVD设备产品至海外客户端；基于反应腔pX和Supra-D研发的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM系列工艺、OPN、SiB等多款先进工艺设备以及PECVDBianca工艺设备持续扩大量产规模，且基于pX反应腔开发的α-Si工艺设备已通过先进逻辑客户的验证；公司多台PE-ALDSiO2、SiCO等工艺设备通过客户验证，在先进存储客户量产规模快速攀升；Thermal-ALD在持续拓展新工艺，多台产品出货至客户端；SACVDPESAF薄膜工艺设备已多台通过不同客户验证。同时，在应用于三维集成设备方面，公司持续拓展新产品，包括芯片对晶圆熔融键合、键合界面空洞修复等产品。 投资建议 考虑公司订单能见度高，产品覆盖面不断拓展且验证节奏加快，规模效应驱动盈利能力持续改善，预计公司2026-2028年EPS分别为7.66/9.14/13.22元，对应公司8月31日收盘价677.86元，2026-2028年PE分别为88.5/74.1/51.3倍，给予“买入-B”评级。 风险提示 市场竞争加剧。薄膜沉积与三维集成赛道技术壁垒高，但仍面临国际巨头先发优势及国内潜在进入者分流。若竞品加速导入或价格竞争升温，公司 份额、机台平均单价与毛利率改善节奏可能承压。

     拓荆科技(688072) 投资要点 事件概述： 根据公司发布2026半年度业绩报告， 2026上半年公司营业总收入为29.13亿元（ yoy+49.06%），归母净利润为13.43亿元（ yoy+1324.10%），销售毛利率为41.00%（ yoy+9.05pct）。公司2026Q2营业总收入为18.00亿元（ yoy+44.56%， qoq+61.85%），归 母 净 利 润 为 7.72 亿 元 （ yoy+220.08% ， qoq+35.32% ）， 销 售 毛 利 率 为 40.58%（ yoy+1.76pct， qoq-1.11pct）。 先进制程放量驱动业绩加速释放。 公司在先进制程领域取得关键突破，多款高端设备在客户端批量通过验证并进入规模化量产，带动营收实现同比增长。与此同时，生产规模效应逐步释放，叠加新工艺设备量产应用有效摊薄单位成本， 2026年上半年营业成本增幅（ 29.24%）显著低于营收增速（ 49.06%），毛利率同比提升约9个百分点至41%，产品盈利能力显著增强。 公司依托自主核心技术， 构建了较为完善的“薄膜沉积+三维集成”的产品格局。 薄膜沉积领域，公司以PECVD、 ALD、 SACVD、 HDPCVD、 Flowable CVD为核心，实现了全系列布局。其中PECVD已覆盖全部薄膜材料，广泛应用于逻辑和存储芯片； ALD设备在国内装机量与工艺覆盖度上均领先； HDPCVD、 SACVD、 Flowable CVD可满足不同深宽比结构的填充需求，已在多条产线产业化应用。 同时， 公司已累计出货超3800个反应腔，进入约100条生产线；累计流片量约6亿片，机台平均运行时间超90%，达到国际同类设备水平。三维集成领域，公司推出的混合键合与熔融键合设备已陆续推向市场，部分通过客户验证并进入稳步放量阶段，成功应用于先进存储/逻辑、先进封装、图像传感器等场景。随着后摩尔时代芯片技术路径从平面微缩转向三维堆叠，键合设备受益于3D NAND、 HBM、Chiplet等多领域需求共振，有望成为公司中长期重要增长极。 投资建议： 公司构建了较为完善的薄膜沉积与三维集成设备产品矩阵， 同时下游需求旺盛叠加国产替代加速，为业绩增长提供有力支撑。 我们预计公司2026-2028年营业收入分别为99.61、 133.48、 170.80亿元（ 2026、 2027年原预测值分别是84.46、 105.97亿元），同比增速分别为52.79%、 34.00%、 27.96%；预计公司2026-2028年归母净利润分别为20.39、29.78、 39.29亿元（ 2026、 2027年原预测值分别是16.27、 24.48亿元），同比增长分别为120.01%、 46.05%、 31.96%。当前市值对应2026、 2027、 2028年的PE分别为96、 66、50倍，维持“买入”评级。 风险提示： 1） 下游扩产不及预期风险； 2） 产品验证周期不及预期风险； 3） 行业竞争加剧风险。

     拓荆科技(688072) 投资要点 技术突破与规模化量产，核心竞争力显著提升 依托在PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜沉积设备及三维集成设备领域的技术突破与规模化量产，公司在先进制程领域核心竞争力显著提升，业务规模实现大幅增长。公司2025年实现营业收入65.19亿元，同比增长58.87%，实现归母净利润9.27亿元，同比增长34.67%。2026年一季度实现营业收入11.12亿元，同比增长56.97%，实现归母净利润5.71亿元，同比增长488.29%。。 行业发展驱动芯片革新，高端薄膜沉积设备迎来升级窗口 新技术、新行业的爆发式发展持续驱动芯片革新，全环绕栅极（GAA）、背面供电、高K（High-K）金属栅、高带宽存储器（HBM）等应运而生。先进制程和三维集成结构下，传统薄膜沉积材料已难以满足下游生产中对高深宽比、高刻蚀选择比的需求，先进硬掩膜和介质薄膜将成为前沿技术节点芯片制造的新趋势。同时，等离子体均匀性、高深宽比结构的薄膜覆盖性、宽温域调节、减少薄膜残留等下游先进芯片制造中的核心工艺难题对薄膜沉积设备的技术创新水平提出了更高要求，高端薄膜沉积设备迎来技术升级窗口。 混合键合赋能三维集成，多领域需求共振 3D NAND通过晶圆混合键合技术解决在单一晶圆上同时制造存储单元和复杂逻辑电路导致的良率低、成本高的问题；HBM引入混合键合技术以支持更高的堆叠层数和互连密度；3DDRAM依托三维集成技术突破传统平面封装的性能瓶颈，大幅提升芯片带宽与存储容量，同时降低功耗；CIS的混合键合可以将DRAM缓存层键合进来，实现CIS芯片内的高速数据缓冲。在3D封装、Chiplet、异质集成等领域，混合键合技术实现了不同功能芯片的高密度集成，打破单芯片制程演进的物理限制，混合键合设备已形成多领域需求共振的格局。 盈利预测 预测公司2026-2028年收入分别为85.10、108.98、150.10亿元，EPS分别为5.55、8.56、10.20元，当前股价对应PE分别为113、73、62倍，公司目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜沉积设备产品，以及晶圆对晶圆混合键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合等三维集成设备产品，维持“买入”投资评级。 风险提示 宏观经济的风险，产品研发不及预期的风险，行业竞争加剧的风险，下游需求不及预期的风险。

     拓荆科技(688072) 报告要点： 公司25年营收65.19亿元（YoY+58.87%），归母净利9.27亿元（YoY+34.67%），毛利率和净利率分别为34.95%和14.03%。26Q1，公司营收11.12亿元（YoY+56.97%，QoQ-51.61%），归母净利5.71亿元（YoY+488.29%，QoQ+54.13%），毛利率和扣非净利率分别为41.69%和9.18%。25Q4到26Q1，公司毛利率呈现逐步改善趋势。 公司PECVD设备销售保持快速增长态势。2025年PECVD设备实现营收51.42亿元，同比增加75.27%，公司应用于先进存储、先进逻辑领域的新设备平台批量通过客户验证，进入规模化量产并实现收入转化。展望2026年，随着国内存储和逻辑晶圆厂扩产、先进制程推进和国产替代仍将支撑PECVD设备需求，我们预计2026年PECVD仍将是公司收入增长的主要驱动力，收入有望接近67亿元，同比增加约30%。 ALD有望成为公司2026年增速弹性较高的方向。公司2025年ALD设备收入约3.01亿元，同比增加191.82%，PE-ALD SiO/SiN/SiCO等产品量产规模提升，Thermal-ALD TiN通过客户验证。我们预计随着先进存储、先进逻辑对高深宽比结构、精确膜厚控制需求提升，公司在客户导入验证范围持续扩大及先进工艺导入进一步推进，2026年公司ALD设备收入有望超过6亿元，实现翻倍增长，ALD收入比重有望持续提升。 订单方面，公司后续收入具备较强可见度。截至2025年末，公司合同负债达48.52亿元，较2024年末增长62.66%；在手订单金额约110亿元，为后续收入增长奠定基础。总体来看，公司2026年成长主线仍在于PECVD稳健放量、ALD加速导入及订单持续转化。 我们预测公司26-27年营收86.39/111.56亿元，归属母公司净利润为16.88/22.72亿元，对应PE分别为71/53倍，维持“买入”评级。 财务数据和估值 2025A2026E2027E 注：市场预期为iFind一致预期，股价为2026年4月29日收盘价 风险提示 上行风险：下游晶圆厂扩产超预期；国产替代进程加速；产品加速导入客户下行风险：下游扩产节奏不及预期；客户验收不及预期；其他系统性风险

     拓荆科技(688072) 投资要点 业绩高增，充分受益于存储：2025年公司实现营收65.19亿元，同比+58.9%，其中PECVD系列设备实现销售收入约51.42亿元，同比增长75.27%，ALD设备实现销售收入约3.01亿元，同比大幅增长191.8%，混合键合设备实现营业收入1.36亿元，同比增长41.9%；实现归母净利润9.27亿元，同比+34.7%；扣非净利润为7.23亿元，同比+103.1%。Q4单季营收为22.99亿元，同比+25.9%，环比+1.5%；归母净利润为3.70亿元，同比-11.2%，环比-19.9%。2026Q1公司实现营收11.12亿元，同比+57.0%，环比-51.6%，同比大幅增长主要系公司应用于先进制程领域的设备批量获得客户验证通过，量产规模进一步扩大；实现归母净利润5.71亿元，同比扭亏为盈，环比+54.1%，主要系收入规模扩大、毛利率显著提升以及公司对外投资的公允价值变动损益提升。2025年至2026Q1，公司收入持续增长。 Q1盈利能力同环比大幅提升，维持高研发投入：2025年公司毛利率为34.95%，同比-6.7pct；销售净利率为14.03%，同比-2.72pct；期间费用率为24.17%，同比-8.0pct，其中销售费用率为6.24%，同比-0.8pct，管理费用率为4.81%，同比-0.3pct，研发费用率为11.80%，同比-6.6pct，财务费用率为1.31%，同比-0.3pct；研发投入为8.59亿元，同比+13.7%。2026Q1公司毛利率为41.69%，同比+21.80pct，环比+3.7pct；销售净利率为50.54%，同比+72.0pct，环比+34.0pct。 在手订单充足，合同负债持续增长：截至2025年末，公司存货为78.26亿元，同比+8.5%；合同负债为48.52亿元，同比+62.7%；公司在手订单金额约为110亿元，为公司后续收入持续增长奠定了坚实的基础。2025年经营活动净现金流为36.33亿元，同比大幅转正。截至2026Q1末，公司存货为82.14亿元，相比2025年末+5.0%；公司合同负债为48.77亿元，相比2025年末+1.0%。2026Q1公司经营活动净现金流为-5.20亿元，同环比转负，主要系销售回款阶段性降低叠加业务规模扩大，采购支出、员工薪酬支出同比增加。 PECVD领域持续扩张，平台化产品陆续放量：（1）PECVD：已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖，通用介质薄膜材料和先进介质薄膜材料均已实现产业化应用。基于新平台（PF-300T Plus和PF-300M）及新型反应腔（pX和Supra-D）等研发的ONO叠层、ACHM、Bianca等产品已实现产业化放量，Lok-II、OPN、SiB等先进工艺设备已通过客户验证，持续获得客户复购订单。（2）ALD：是国产ALD工艺覆盖度第一的厂商，SiO2、SiN、SiCO工艺设备客户端放量；Thermal-ALD持续拓展新工艺并陆续获得订单、出货，首台TiN工艺产品已通过客户验证；截至2025年末，ALD设备累计出货超过140个反应腔。（3）CVD：SACVD和HDPCVD等沟槽填充产品不断扩大量产规模，首台SACVD等离子体增强SAF薄膜工艺设备通过客户验证。（4）先进封装设备：晶圆对晶圆（W2W）混合键合设备获得重复订单并实现量产，同时拓展至不同客户并通过验证；新一代高速高精度W2W混合键合产品已发货至客户端验证，产能、键合精度等关键指标大幅提升；首台W2W熔融键合设备通过客户验证。 盈利预测与投资评级：考虑到下游扩产高景气、公司新产品放量，我们上调公司2026/2027年归母净利润为17/25（原值15/22)亿元，预计公司2028年归母净利润为30亿元，当前市值对应2026-2028年动态PE分别为69/47/40X，维持“买入”评级 风险提示：晶圆厂资本开支下滑、国产化率提升不及预期等

     拓荆科技(688072) 投资要点： 国内半导体薄膜沉积设备龙头企业，业绩高速增长印证行业领先地位。作为国内半导体核心设备领域的领先企业，公司已构建起以薄膜沉积设备和先进键合及配套量检测设备为核心的双平台驱动格局。在薄膜沉积主赛道，公司以PECVD设备为基石，横向拓展至ALD、HDPCVD、SACVD等多类关键设备，其产品矩阵已广泛覆盖逻辑、存储芯片制造所需的薄膜材料及工艺应用。同时，公司前瞻性切入面向3D集成与先进封装的晶圆键合领域，其中混合键合设备已实现技术突破并进入客户验证，进一步巩固其平台化技术延伸能力。在半导体国产化加速与晶圆厂持续扩产的行业背景下，公司业绩实现高速增长，2020-2024年营业收入由4.4亿元攀升至41.0亿元，复合年增长率达75%；归母净利润自2021年扭亏为盈后连续三年保持增长，2024年达6.9亿元。截至2024年末，公司在手订单金额约94亿元，同比增长约46%，展现出强劲的市场需求与客户认可，持续印证了其技术稀缺性与产业卡位优势。 公司把握先进制程与三维集成趋势，薄膜沉积业务持续高增长。薄膜沉积作为半导体前道制造的核心环节，其技术演进与芯片制程提升及三维结构创新紧密相关。随着逻辑芯片向更先进制程推进、存储芯片向更高堆叠层数发展，对薄膜沉积设备的数量、工艺精度和复杂度的要求持续提升，市场规模持续扩张。2025年全球薄膜沉积设备市场规模约为244亿美元，约占晶圆制造设备市场的22%。按中国大陆半导体设备销售额占全球约42%的比例估算，对应中国大陆市场规模约为102亿美元，但该领域的国产化率不足20%，市场替代空间广阔。公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%，达到国际同类设备水平。2024年，公司薄膜沉积设备业务实现销售收入约39亿元，同比增长50%，主打产品PECVD产品销售收入创历史新高，彰显了强大的增长动能。此外，公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及Flowable CVD薄膜沉积设备，能够支撑逻辑芯片和存储芯片制造中所需的全部介质薄膜材料，覆盖约100多种关键工艺应用；其中，ALD设备在集成电路领域的薄膜工艺覆盖率位居国产设备厂商首位。公司在薄膜沉积领域的技术积累、产品全面性和市场领先地位，构成了公司业绩持续增长的坚实基本盘。 公司前瞻布局先进键合及配套量检测设备，开启未来成长新空间。随着半导体技术持续演进，三维集成已成为突破摩尔定律物理极限、实现芯片高密度、高性能与低功耗的关键路径，尤其在AI等应用的驱动下，正迎来高速发展期。据Yole预测，全球先进封装市场规模有望从2023年的43亿美元跃升至2029年的280亿美元，年复合增长率约37%。先进键合设备及配套量检测装备作为实现微米级互联、提升系统性能、突破“通信墙”的核心工艺环节，其市场需求与战略价值日益凸显。公司凭借前瞻性布局，持续投入研发，2024年相关业务实现销售收入0.96亿元，同比增长约49%。在W2W/D2W混合键合前表面预处理及键合设备领域，公司持续获得重复订单，产品陆续导入先进存储、逻辑及图像传感器等客户。此外，公司新推出的键合套准精度量测设备及键合强度检测设备也已通过客户验证，产业化应用持续扩大。随着混合键合设备逐步放量，公司有望在先进键合平台上进一步打开第二成长曲线，为三维集成领域提供具备竞争力的整体解决方案。 投资建议：首次覆盖，给予“买入”评级。公司专注集成电路制造前道工艺，以薄膜沉积设备为核心，其中PECVD设备为主要产品线，并横向覆盖SACVD、HDPCVD、ALD等高端设备，同时积极拓展三维集成设备领域。随着下游晶圆厂产能扩张及技术制程持续升级，设备需求稳步增长，叠加半导体设备国产替代长期趋势，公司未来发展空间广阔。我们预计公司2025-2027年营业收入分别为63.82、84.46和105.97亿元，同比增速分别为55.52%32.35%和25.47%；归母净利润分别为10.41、16.27和24.48亿元，同比增速分别为51.32%56.23%和50.48%，对应当前市值的PE分别为97.50、62.41和41.47倍，首次覆盖，给予“买入”评级。 风险提示：产品研发及验证进度不及预期风险；地缘政治风险；下游需求不及预期的风险。