拓荆科技(688072) 投资要点： 国内半导体薄膜沉积设备龙头企业，业绩高速增长印证行业领先地位。作为国内半导体核心设备领域的领先企业，公司已构建起以薄膜沉积设备和先进键合及配套量检测设备为核心的双平台驱动格局。在薄膜沉积主赛道，公司以PECVD设备为基石，横向拓展至ALD、HDPCVD、SACVD等多类关键设备，其产品矩阵已广泛覆盖逻辑、存储芯片制造所需的薄膜材料及工艺应用。同时，公司前瞻性切入面向3D集成与先进封装的晶圆键合领域，其中混合键合设备已实现技术突破并进入客户验证，进一步巩固其平台化技术延伸能力。在半导体国产化加速与晶圆厂持续扩产的行业背景下，公司业绩实现高速增长，2020-2024年营业收入由4.4亿元攀升至41.0亿元，复合年增长率达75%；归母净利润自2021年扭亏为盈后连续三年保持增长，2024年达6.9亿元。截至2024年末，公司在手订单金额约94亿元，同比增长约46%，展现出强劲的市场需求与客户认可，持续印证了其技术稀缺性与产业卡位优势。 公司把握先进制程与三维集成趋势，薄膜沉积业务持续高增长。薄膜沉积作为半导体前道制造的核心环节，其技术演进与芯片制程提升及三维结构创新紧密相关。随着逻辑芯片向更先进制程推进、存储芯片向更高堆叠层数发展，对薄膜沉积设备的数量、工艺精度和复杂度的要求持续提升，市场规模持续扩张。2025年全球薄膜沉积设备市场规模约为244亿美元，约占晶圆制造设备市场的22%。按中国大陆半导体设备销售额占全球约42%的比例估算，对应中国大陆市场规模约为102亿美元，但该领域的国产化率不足20%，市场替代空间广阔。公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%，达到国际同类设备水平。2024年，公司薄膜沉积设备业务实现销售收入约39亿元，同比增长50%，主打产品PECVD产品销售收入创历史新高，彰显了强大的增长动能。此外，公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及Flowable CVD薄膜沉积设备，能够支撑逻辑芯片和存储芯片制造中所需的全部介质薄膜材料，覆盖约100多种关键工艺应用；其中，ALD设备在集成电路领域的薄膜工艺覆盖率位居国产设备厂商首位。公司在薄膜沉积领域的技术积累、产品全面性和市场领先地位，构成了公司业绩持续增长的坚实基本盘。 公司前瞻布局先进键合及配套量检测设备，开启未来成长新空间。随着半导体技术持续演进，三维集成已成为突破摩尔定律物理极限、实现芯片高密度、高性能与低功耗的关键路径，尤其在AI等应用的驱动下，正迎来高速发展期。据Yole预测，全球先进封装市场规模有望从2023年的43亿美元跃升至2029年的280亿美元，年复合增长率约37%。先进键合设备及配套量检测装备作为实现微米级互联、提升系统性能、突破“通信墙”的核心工艺环节，其市场需求与战略价值日益凸显。公司凭借前瞻性布局，持续投入研发，2024年相关业务实现销售收入0.96亿元，同比增长约49%。在W2W/D2W混合键合前表面预处理及键合设备领域，公司持续获得重复订单，产品陆续导入先进存储、逻辑及图像传感器等客户。此外，公司新推出的键合套准精度量测设备及键合强度检测设备也已通过客户验证，产业化应用持续扩大。随着混合键合设备逐步放量，公司有望在先进键合平台上进一步打开第二成长曲线，为三维集成领域提供具备竞争力的整体解决方案。 投资建议：首次覆盖，给予“买入”评级。公司专注集成电路制造前道工艺，以薄膜沉积设备为核心，其中PECVD设备为主要产品线，并横向覆盖SACVD、HDPCVD、ALD等高端设备，同时积极拓展三维集成设备领域。随着下游晶圆厂产能扩张及技术制程持续升级，设备需求稳步增长，叠加半导体设备国产替代长期趋势，公司未来发展空间广阔。我们预计公司2025-2027年营业收入分别为63.82、84.46和105.97亿元，同比增速分别为55.52%32.35%和25.47%；归母净利润分别为10.41、16.27和24.48亿元，同比增速分别为51.32%56.23%和50.48%，对应当前市值的PE分别为97.50、62.41和41.47倍，首次覆盖，给予“买入”评级。 风险提示：产品研发及验证进度不及预期风险；地缘政治风险；下游需求不及预期的风险。

     拓荆科技(688072) 投资要点： 投资建议：首次覆盖，给予“买入”评级。我们预计公司2025–2027年归母净利润为10.98/17.96/25.22亿元，对应同比增长59.6%/63.6%/40.4%；对应PE为87.5x/53.5x/38.1x。从PEG角度看，公司2025E-2027EPEG为1.3/0.8/0.9，综合考虑其在薄膜沉积和混合键合工艺环节的技术壁垒及中长期盈利弹性，我们认为公司具备较高的中长期配置性价比。 公司和行业情况：1）公司是国内领先的前道薄膜沉积设备厂商，核心产品覆盖PECVD、ALD、FlowableCVD、HDPCVD等多类工艺，已在先进逻辑与存储产线实现规模化交付；同时，公司前瞻布局混合键合及配套量检测设备，切入异构集成与三维集成核心环节，业务由单一沉积设备向“沉积+键合”双引擎平台化演进；2）行业：薄膜沉积设备处于半导体前道设备体系的核心位置，市场规模与需求确定性较强。根据MaximizeMarketResearch数据，2025年全球薄膜沉积设备市场规模预计达340亿美元，2020–2025年CAGR为13.3%，高于半导体设备行业整体增速。 关键假设点：1）全球半导体薄膜沉积设备市场2025年预计达到340亿美元。在晶圆厂扩产与国产替代推动下，中国市场预计仍将保持全球最大半导体设备市场；三维集成设备市场预计由2025年的81亿美元增长至2029年的284亿美元，平均年复合增长率CAGR达到37%。2）在国内晶圆厂扩产持续推进及后摩尔时代异构集成加速渗透的背景下，薄膜沉积与混合键合作为前道及先进封装的关键设备环节，需求确定性较强，高端工艺设备价值量与技术壁垒持续提升，其中PECVD约占整体沉积工艺价值量33%、ALD约11%、PVD/LPCVD合计约30%，高端沉积工艺占比逐步提升。 有别于市场的认识：HBM、Chiplet与三维堆叠加速落地，芯片间互连密度和界面质量要求显著提升，沉积与键合工艺在系统性能中的重要性持续上升，使相关设备需求具备独立于制程节点的成长逻辑。 股价表现的催化剂：1）薄膜沉积设备订单持续放量；2）ALD、FlowableCVD等新品验证转入规模交付；3）混合键合设备实现量产导入；4）毛利率修复快于预期；5）晶圆厂扩产节奏上修或资本开支回暖。 风险提示：下游资本开支波动风险、新产品验证及放量不及预期风险、技术迭代与竞争加剧风险、毛利率与费用率波动风险。

     拓荆科技(688072) 核心观点 3Q25营收同比增长124.15%，归母净利润同比增长225.07%。公司发布2025年三季报，前三季度实现营收42.20亿元(YoY+85.27%)，实现归母净利润5.57亿元(YoY+105.14%)。其中，公司第三季度实现营收22.66亿元(YoY+124.15%，QoQ+81.94%)，实现归母净利润4.62亿元(YoY+225.07%，QoQ+91.60%)。公司第三季度收入利润大幅增长，主要得益于公司先进制程的验证机台进入规模化量产阶段。 设备在手订单饱满，现金流大幅改善。三季度公司PECVDStack(ONO叠层)、ACHM、Bianca；ALDSiO2、SiCO等先进设备陆续通过客户验收，量产规模持续扩大。由于新机台毛利率相对较低，集中确收影响短期毛利率，单三季度综合毛利率为34.42%，后续伴随新机台转入大规模量产，毛利率有望逐步改善提升。三季度公司合同负债达48.94亿元，较二季度末的45.36亿元环比增长3.58亿元，在手订单饱满。三季度公司存货为80.69亿元，其中发出商品占比超过一半。此外，公司经营性现金流状况显著改善，前三季度经营活动产生的现金流量净额达28.32亿元，销售回款大幅增长至71.66亿元。 存储涨价周期下全面受益扩产，键合设备赋能先进封装。随着全球存储进入涨价周期，国内外存储晶圆厂有望迎来超预期扩产，而国内长存长鑫的IPO逐渐临近，公司存储订单及收入超2/3与存储相关，未来存储晶圆厂的三期扩产将为公司新签订单提供显著弹性。此外，在先进逻辑、HBM、先进DRAM、3D Nand等先进封装领域中，公司布局W2W、D2W、熔融键合、键合套准精度量测、键合强度检测等8大类产品，有望受益于AI算力驱动的先进封装市场需求爆发。公司9月向拓荆键科增资4.5亿元，增资完成后，拓荆科技对拓荆键科的持股比例达到53.5719%。此外，公司计划定增募资46亿元，其中高端半导体设备产业化基地建设项目15亿元，前沿技术研发中心建设项目20亿元，补充流动资金11亿元。 投资建议：国产半导体薄膜沉积设备龙头，维持“优于大市”评级。公司作为国内半导体薄膜沉积设备龙头之一，薄膜设备新工艺机台有望逐步量产出货，用于三维集成领域的键合设备也在获得客户重复订单。我们预计2025-2027年营业收入62.68/83.72/109.01亿元（25-27年前值53.27/68.59/88.15亿元），归母净利润10.41/16.31/23.60亿元（25-27年前值9.42/13.01/17.81亿元），当前股价对应PE分别为89/57/39倍，维持“优于大市”评级。 风险提示：下游晶圆制造产能扩充不及预期风险，新产品开发不及预期风险，国际关系波动和地缘政治风险等。

     拓荆科技(688072) 投资要点 业绩持续高增，多款新品量产放量。2025年前三季度公司营业收入42.20亿元，同比+85.3%；归母净利润5.57亿元，同比+105.1%；扣非净利润4.58亿元，同比+599.7%。公司Q3营业收入22.66亿元，同比+124.2%，环比+81.9%；归母净利润4.62亿元，同比+225.1%，环比+91.6%；扣非归母净利润4.2亿元，同比+822.5%，环比+92.3%。公司业绩呈加速增长态势，主要系基于新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM以及PECVD Bianca、ALD SiCO等先进制程设备通过客户验证，量产规模不断扩大。 成本管控叠加规模效应显现，Q3净利率环比提升。2025年前三季度公司毛利率为33.3%，同比-10.3pct；销售净利率为12.7%，同比+1.3pct；期间费用率为24.3%，同比-15.8pct，其中销售费用率为6.2%，同比-5.5pct，管理费用率为4.9%，同比-0.5pct，研发费用率11.5%，同比-9.6pct，财务费用率为1.6%，同比-0.2pct。公司持续维持高研发投入，Q1-Q3研发投入5.4亿元，同比+12.1%，研发费用率则跟随营收规模扩大降低。Q3单季度毛利率为34.4%，同比-4.9pct，环比-4.4pct；销售净利率20.0%，同比+6.4pct，环比+1.2pct，主要系公司持续加强成本管控、收入规模持续扩大，期间费用率继续下降。 合同负债持续高增，现金流持续优化。截至2025Q3末，公司合同负债为48.94亿元，同比+94.8%，主要系公司持续优化客户结构，在巩固国内龙头晶圆厂合作的同时，成功导入新客户，在手订单增加；存货为80.7亿元，同比+14.0%。2025Q1-Q3公司经营活动净现金流为28.32亿元，同比大幅转正；其中2025Q3经营活动净现金流为12.66亿元，同比大幅转正，环比-18.6%。 加码布局薄膜沉积与先进封装，有望夯实核心设备竞争力。公司通过定增及对子公司增资，持续加码薄膜沉积和先进封装设备布局，夯实技术与产能基础，有望不断强化核心产品优势。（1）薄膜沉积：2025年9月公司公告拟募资不超过46亿元，其中15亿元用于建设高端半导体设备产业化基地、20亿元用于建设前沿技术研发中心，重点聚焦PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设备的产业化及技术攻关，推动多款先进设备（含ALD、沟槽填充CVD等）研发迭代并配套开发下一代自动化控制系统。该项目将有效提升产能、产品性能和智能制造水平，进一步满足先进工艺持续演进下的客户需求，夯实公司在薄膜沉积领域的竞争优势。（2）键合：25年9月公司联合国投集新（重要出资人为大基金三期）等对控股子公司拓荆键科增资不超10.395亿元，推进混合键合、熔融键合等三维集成关键设备及配套量测设备的技术迭代与产业化。目前子公司已出货至先进存储、逻辑、图像传感器客户，增资有望助力拓荆键科加速技术突破与市场导入，强化公司在键合领域的竞争壁垒。 盈利预测与投资评级：我们维持公司2025-2027年归母净利润分别为10.0/15.5/22.1亿元，当前市值对应动态PE分别为85/55/39倍，考虑到公司在半导体设备领域的龙头地位与稀缺性，及其在薄膜沉积和先进封装领域的前瞻布局有望带来新增量，维持“买入”评级。 风险提示：晶圆厂资本开支下滑、国产化率提升不及预期等

     拓荆科技(688072) Q3收入、利润均同环比高增，规模效应带动费用率下降，维持“买入”评级2025年前三季度，公司实现营业收入42.20亿元，yoy+85.27%，主因产品工艺覆盖面不断扩大，产品性能及核心竞争力进一步增强，公司先进制程的验证机台进入规模化量产阶段；实现毛利率33.28%，同比下滑10.31pcts，主因一季度确认收入的新产品、新工艺的设备在客户验证过程成本较高，毛利率较低，随着公司新产品验证机台完成技术导入并实现量产突破和持续优化，2025年第二和第三季度毛利率已显著改善，未来有望继续稳步回升；实现归母净利润5.57亿元，同比+105.14%，主因Q3收入放量与规模效应带动费用率下滑。 单季度而言，公司Q3实现收入22.66亿元，yoy+124.15%，qoq+81.94%；实现毛利率34.42%，环比下滑4.4pcts；实现归母净利润4.62亿元，同比+225.07%，环比+91.60%，主因公司三季度收入放量，以及规模效应带动费用率下降。 公司自2025年Q1开始多类先进制程机台的批量验证，Q3即实现大规模量产，进展超出预期，因此，我们上修公司盈利预测，预计2025-2027年将分别实现营收64/86/106亿元（前值58/77/95亿元），实现归母净利润10.2/20.2/27.3亿元（前值9.3/14.9/19.5亿元），当前股价对应PE分别为90.1/45.4/33.6倍，维持“买入”评级。 先进制程机台进入规模化量产阶段，工艺覆盖程度持续提升 公司产品竞争力持续提升，基于新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）的PECVD Stack（ONO叠层）、ACHM以及PECVDBianca、ALD SiCO等先进制程的验证机台顺利通过客户认证，进入规模化量产阶段，进展超于预期。 薄膜沉积设备方面公司已布局的种类涵盖PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及Flowable CVD，CVD领域国内领先，伴随各类先进制程机台开始规模量产，公司有望在未来的机台改良优化中占据领先地位，竞争实力有望不断加强。另一方面，公司布局三维集成设备，目前已经推出多款W2W、D2W键合设备及其配套设备，契合先进封装的大趋势，且有望在新一代存储器件制造工艺中得到运用（例如下一代4F2DRAM将采用CBA工艺，对键合设备提出需求），有望为公司贡献更长久的增长动力。 风险提示：下游晶圆厂延迟扩产，公司新产品研发进度不及预期。