北方华创(002371) 投资要点 看好先进逻辑&存储加速扩产：晶圆厂扩产方面，我们预计2026-2027年内资晶圆厂资本开支持续扩张。1）逻辑端：中芯国际自2023年起产能利用率稳步提升，2025Q3已升至95.8%；国内厂商先进逻辑工艺陆续突破，有望加速落地先进制程产能。2）存储端：2024年全球NAND/DRAM存储器市场中，我国长江存储&长鑫存储市占率分别仅为5/5%，后续仍待突破，我们预计2026年长江存储与长鑫存储合计新增10–12万片/月产能，重点聚焦于3D NAND与HBM制程，投资总额有望达155–180亿美元。根据SEMI预测数据，2026-2027年全球晶圆厂设备支出约8827/9471亿元，分别同比增长9/7%。叠加自主可控需求，我们预计2026-2027年中国大陆晶圆厂设备销售额将达4414/4736亿元，分别同比+21/7%。 海外限制不断收紧，半导体设备国产替代诉求迫切：美日荷持续强化对先进制程设备出口限制，国内晶圆厂在自主可控导向下加快国产设备导入进程。2024年中国大陆半导体设备销售额达495亿元，全球占比42%，连续四年为全球第一大设备市场。我们预计2025年半导体设备国产化率提升至22%，其中刻蚀、清洗、CMP等环节已实现阶段性突破，光刻、薄膜沉积、检测、涂胶显影等高端环节国产化率仍低于25%，替代空间广阔。 内生+外延不断拓展公司产品线，彰显半导体设备龙头地位：作为国产半导体设备领军者，公司持续受益设备国产替代+产品线延展。1）刻蚀设备：我们预估2027年中国大陆半导体干法刻蚀设备市场规模达到895亿元。公司在ICP领域主导国内市场，同时积极布局CCP领域，市占率持续提升，高深宽比刻蚀取得率先突破。2）薄膜沉积设备：我们预估2027年中国大陆半导体薄膜沉积设备市场规模将达1089亿元。公司PVD市场竞争力显著，持续拓展CVD、ALD等产品系列，已跻身国内第一梯队，不断打开成长空间。3）Track设备：我国涂胶显影市场规模2025年有望达143.7亿元、2025台。芯源微是国内首家具备量产交付能力的企业，公司通过获得芯源微控股权填补Track产品空白，有望充分受益于Track国产替代进程。4）热处理设备：我们预计2027年中国大陆热处理设备市场规模约为210亿元，公司已具备较强市场竞争力，25H1该业务收入10亿元。5）清洗设备：我们预计2027年中国大陆市场规模约243亿元，公司收购Akrion完善清洗设备产品线，产品体系不断完善，已成功覆盖槽式、单片清洗设备。6）其他：公司积极拓展离子注入机、电镀设备等品类，平台化布局持续深入。 盈利预测与投资评级：考虑到公司2025-2027年集中进行研发投入&股权激励费用影响，我们预计2025-2027年归母净利润分别为58.43（原值65.1）/77.52（原值88.0）/102.34（原值110.9）亿元，分别同比+4%/+33%/+32%。当前股价对应动态PE分别为57/43/33倍，考虑到公司平台化布局持续推进，龙头地位加强巩固，维持“买入”评级。 风险提示：半导体行业投资不及预期、设备国产化不及预期、海外限制加剧风险

     北方华创(002371) 投资要点： 事件：12月11日，北方华创完成对成都国泰真空设备有限公司（下称“成都国泰真空”）90%股权交割。交易方面，北京北方华创真空技术有限公司于2024年12月25日出资3672万元取得标的公司90%股权，原股东卢成保留10%。相关股权已于2025年12月5日完成首次持股确认。本次并购实现控股权转移，成都国泰真空正式纳入北方华创体系。 成都国泰真空专注光学真空镀膜装备。1）业务覆盖方面，公司产品应用于光通信、手机镜头、车载光学、传感器、红外、激光、医疗及AR/VR等前沿领域，累计服务客户超400家。2）组织布局方面，公司总部位于成都，在东莞、福州、合肥设有分支机构，并建有研发中心、生产车间、联合研究中心及薄膜实验室。3）技术突破方面，公司在电子束蒸镀、磁控溅射等关键装备上实现突破，自研射频离子源与膜厚监控系统打破高端光学镀膜设备的国外垄断。 真空镀膜设备市场持续扩容，高端领域仍由海外厂商主导，本土企业仍大有可为。光学镀膜设备作为真空镀膜设备细分，其主用于在光学元件及功能材料表面沉积高质量膜层，其性能直接影响下游器件光学表现。由于光学镀膜工艺对真空度、膜层均匀性及稳定性要求极高，因此高端设备技术壁垒显著。根据GlobalMarketInsights数据，2024年全球真空镀膜设备市场规模约270亿美元，预计2024–2032年复合增速将超过6.7%。目前高端真空镀膜设备仍由海外厂商主导，本土企业在先进机型与关键工艺上仍处于提升阶段。我们认为，本次收购将完善北方华创在光学真空装备领域版图，补齐公司在精密光学市场的设备布局。 整合完成后，双方有望共同覆盖基础真空设备到高端光学镀膜装备的完整产品体系。在高端光学镀膜设备依旧依赖进口的背景下，本次收购有望加速关键环节的国产替代进程，进一步夯实北方华创在先进制造装备领域的平台化竞争优势。 投资建议：维持"买入"评级。我们预计公司2025–2027年归母净利润分别为72.70亿元、95.26亿元、118.66亿元，对应同比增长29.3%、31.0%、24.6%，对应PE为44.5x、33.9x、27.2x。在国内晶圆厂持续扩产、核心前道设备国产替代推进下，本次收购将完善公司在光学真空镀膜装备领域的产品版图，推进平台化布局，为中长期业绩增长提供新支撑点。 风险提示：光学镀膜设备市场拓展不及预期、标的公司业务整合进度不及预期。

     北方华创(002371) 投资要点 预计中国大陆2026至2028年间设备支出将达940亿美元。 受益于晶圆厂区域化趋势以及数据中心和边缘设备中AI芯片需求激增，SEMI预计2025年全球300mm晶圆厂设备支出将首次超过1,000亿美元，增长7%至1,070亿美元；2026年将增长9%，达到1,160亿美元；2027年增长4%，达到1,200亿美元；2028年将增长15%，达到1,380亿美元；其中中国大陆预计将继续领先全球300mm设备支出，2026至2028年间投资总额将达940亿美元。全球分领域看，Logic和Micro领域预计将在2026至2028年间以1,750亿美元的设备投资总额领先；Memory领域预计将在三年间以1,360亿美元的支出位居第二；Analog相关领域预计将在未来三年内投资超过410亿美元；包括化合物半导体在内的功率相关领域预计将在未来三年间投资270亿美元。 晶体管从平面结构转向3D立体结构，以及背面供电的发展，推动半导体设备需求。鳍式场效应晶体管（FinFET）自引入以来，已经成为20nm以下制程的标准技术。随着制程技术缩小到5nm及以下，FinFET的短沟道效应加剧，导致制程在进一步微缩时面临严重瓶颈。全环绕栅极（GAA）被认为是解决FinFET技术瓶颈的关键，预计从2nm节点开始，所有先进芯片设计将全面采用GAA技术。环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）将显著增加光刻之后制造步骤的重要性，从而削弱光刻在整体工艺中的主导地位。具体来看，新型晶体管设计的核心在于“包裹”栅极结构（GAAFET）或堆叠晶体管组（CFET）。这种三维结构的复杂性对精确刻蚀、薄膜等提出了更高要求。根据IMM信息的数据，刻蚀设备在先进制程中的用量占比将从传统FinFET时代的20%上升至GAA架构下的35%，单台设备价值量同比增长12%。薄膜沉积设备则需要在复杂三维结构上原子级均匀地沉积多层薄膜。随着芯片工艺的不断缩小，互连技术的挑战逐渐超越了晶体管本身的缩小难度。互连层数量的增加、布线设计复杂度的提升以及导线电阻问题，极大限制了性能的提升和功耗的优化。为了解决这些问题，背面供电网络（BSPDN）被提出，背面供电实际应用面临晶圆减薄、键合、光刻对准、应力管理和热管理等诸多挑战，这些挑战不仅涉及新设备的开发，还需要对现有制造流程和设计工具进行彻底改造。 全球内存技术多赛道并行迭代，刻蚀、薄膜设备等需求大涨。 当前全球内存技术正处于“多赛道并行迭代”的关键阶段，AI算力需求与终端设备升级为核心驱动力。从HBM以3D堆叠技术突破带宽瓶颈、成为AI芯片标配，到CXL通过架构重构破解“内存墙”、推动数据中心内存池化；从HBF以NAND闪存特性填补性能鸿沟、聚焦AI推理场景，到LPDDR与GDDR分别针对移动/车载、图形/AI推理优化——技术创新已呈现“场景化细分”特征。头部厂商的战略布局也在进一步加剧竞争，未来，随着JEDEC标准持续完善（如HBM4、LPDDR6）与生态协同深化，内存技术将更紧密贴合AI、数据中心、智能终端的需求，同时推动全球存储产业格局向“技术驱动型”加速演进。随着3D堆叠存储的发展，3D NAND目前主流产品已超过200层，未来将向1000层迈进，DRAM未来亦向3D DRAM发展，对刻蚀设备的需求量和性能要求呈指数级增长，比如NAND从32层提高到128层时，刻蚀设备用量占比从35%提升至48%。随着3D NAND堆叠层数的增加，每层薄膜厚度要求严苛，ALD与CVD协同工艺成为主流。根据SEMI，Memory预计将在三年间以1,360亿美元的支出位居第二，其中，DRAM相关设备投资预计将超过790亿美元，3D NAND投资将达到560亿美元。 平台型领军厂商持续受益于下游扩产与国产替代进程，股权激励彰显信心。中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，在半导体设备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和国外设备相比正在快速缩小差距，发展迅速并已初具规模，中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升。根据Yole，中国大陆有望在2030年成为全球最大的半导体晶圆代工中心，预计占全球总装机产能比例将由2024年的21%提升至30%。公司作为国内半导体设备平台型领军厂商，产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗、涂胶显影、离子注入等多个核心工艺环节，工艺覆盖度完善，国内份额持续提升，将持续受益于下游扩产与国产替代进程。11月22日，公司披露2025年股票期权激励计划（草案），有助于促进公司中长期激励机制的健全与完善，提升人才吸引力与团队稳定性。公司拟向激励对象授予10,465,975份股票期权，约占本激励计划草案公告时公司股本总额的1.4446%，激励对象共计2,306人，其中，公司董事、高级管理人员7人，核心技术人才及管理骨干2,299人，假设公司2025年11月末授予股票期权，2025年-2030年期权成本需摊销的总费用约21亿。 投资建议 我们预计公司2025/2026/2027年分别实现收入398/503/613亿元，归母净利润61/84/111亿元，维持“买入”评级。 风险提示 人力资源风险，供应链风险，技术更新风险，市场需求波动风险，并购整合风险。

     北方华创(002371) 投资要点 预计中国大陆2026至2028年间设备支出将达940亿美元。 受益于晶圆厂区域化趋势以及数据中心和边缘设备中AI芯片需求激增，SEMI预计2025年全球300mm晶圆厂设备支出将首次超过1,000亿美元，增长7%至1,070亿美元；2026年将增长9%，达到1,160亿美元；2027年增长4%，达到1,200亿美元；2028年将增长15%，达到1,380亿美元；其中中国大陆预计将继续领先全球300mm设备支出，2026至2028年间投资总额将达940亿美元。全球分领域看，Logic和Micro领域预计将在2026至2028年间以1,750亿美元的设备投资总额领先；Memory领域预计将在三年间以1,360亿美元的支出位居第二；Analog相关领域预计将在未来三年内投资超过410亿美元；包括化合物半导体在内的功率相关领域预计将在未来三年间投资270亿美元。 晶体管从平面结构转向3D立体结构，以及背面供电的发展，推动半导体设备需求。鳍式场效应晶体管（FinFET）自引入以来，已经成为20nm以下制程的标准技术。随着制程技术缩小到5nm及以下，FinFET的短沟道效应加剧，导致制程在进一步微缩时面临严重瓶颈。全环绕栅极（GAA）被认为是解决FinFET技术瓶颈的关键，预计从2nm节点开始，所有先进芯片设计将全面采用GAA技术。环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）将显著增加光刻之后制造步骤的重要性，从而削弱光刻在整体工艺中的主导地位。具体来看，新型晶体管设计的核心在于“包裹”栅极结构（GAAFET）或堆叠晶体管组（CFET）。这种三维结构的复杂性对精确刻蚀、薄膜等提出了更高要求。根据IMM信息的数据，刻蚀设备在先进制程中的用量占比将从传统FinFET时代的20%上升至GAA架构下的35%，单台设备价值量同比增长12%。薄膜沉积设备则需要在复杂三维结构上原子级均匀地沉积多层薄膜。随着芯片工艺的不断缩小，互连技术的挑战逐渐超越了晶体管本身的缩小难度。互连层数量的增加、布线设计复杂度的提升以及导线电阻问题，极大限制了性能的提升和功耗的优化。为了解决这些问题，背面供电网络（BSPDN）被提出，背面供电实际应用面临晶圆减薄、键合、光刻对准、应力管理和热管理等诸多挑战，这些挑战不仅涉及新设备的开发，还需要对现有制造流程和设计工具进行彻底改造。 全球内存技术多赛道并行迭代，刻蚀、薄膜设备等需求大涨。 当前全球内存技术正处于“多赛道并行迭代”的关键阶段，AI算力需求与终端设备升级为核心驱动力。从HBM以3D堆叠技术突破带宽瓶颈、成为AI芯片标配，到CXL通过架构重构破解“内存墙”、推动数据中心内存池化；从HBF以NAND闪存特性填补性能 图形/AI推理优化——技术创新已呈现“场景化细分”特征。头部厂商的战略布局也在进一步加剧竞争，未来，随着JEDEC标准持续完善（如HBM4、LPDDR6）与生态协同深化，内存技术将更紧密贴合AI、数据中心、智能终端的需求，同时推动全球存储产业格局向“技术驱动型”加速演进。随着3D堆叠存储的发展，对刻蚀设备的需求和性能要求呈指数级增长，同时对每层薄膜厚度的要求更严苛，ALD与CVD协同工艺成为主流。根据SEMI，Memory预计将在三年间以1,360亿美元的支出位居第二，其中，DRAM相关设备投资预计超过790亿美元，3D NAND投资将达到560亿美元。 平台型领军厂商持续受益于下游扩产与国产替代进程，股权激励彰显信心。中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，在半导体设备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和国外设备相比正在快速缩小差距，发展迅速并已初具规模，中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升。根据Yole，中国大陆有望在2030年成为全球最大的半导体晶圆代工中心，预计占全球总装机产能比例将由2024年的21%提升至30%。公司作为国内半导体设备平台型领军厂商，产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗、涂胶显影、离子注入等多个核心工艺环节，工艺覆盖度完善，国内份额持续提升，将持续受益于下游扩产与国产替代进程。11月22日，公司披露2025年股票期权激励计划（草案），有助于促进公司中长期激励机制的健全与完善，提升人才吸引力与团队稳定性。公司拟向激励对象授予10,465,975份股票期权，约占本激励计划草案公告时公司股本总额的1.4446%，激励对象共计2,306人，其中，公司董事、高级管理人员7人，核心技术人才及管理骨干2,299人，假设公司2025年11月末授予股票期权，2025年-2030年期权成本需摊销的总费用约21亿。 投资建议 我们预计公司2025/2026/2027年分别实现收入398/503/613亿元，归母净利润61/84/111亿元，维持“买入”评级。 风险提示 人力资源风险，供应链风险，技术更新风险，市场需求波动风险，并购整合风险。

     北方华创(002371) 投资要点： 投资建议：首次覆盖，给予“买入”评级。我们预计公司2025–2027年归母净利润分别为72.70亿元、95.26亿元、118.66亿元，对应同比增长29.3%、31.0%、24.6%，对应PE为41.40x、31.60x、25.37x。公司当前估值低于可比公司平均水平，在国内晶圆厂持续扩产、核心前道设备国产替代推进下，公司具备更高的成长兑现度与中长期配置性价比。 行业与公司情况：公司是中国半导体设备龙头厂商（根据CINNOResearch，2024年公司全球市占率位列第六、中国市场排名第一），产品布局覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗、氧化/扩散、外延、去胶等核心前道装备，是国内晶圆制造环节最具平台化能力的厂商之一。全球半导体设备市场2024–2027年将保持复苏，我们预计市场规模由2024年的1,255亿美元增至2027年的1,505亿美元，CAGR=11.3%。中国大陆市场在晶圆厂扩产与国产替代推动下，由2024年的491亿美元增至2027年的662亿美元。伴随半导体设备国产化渗透率提升以及大陆晶圆厂持续扩产，公司市占率有望持续提升。 关键假设点：1）在地缘关系复杂化背景下，中国预计将在“十五五”开局阶段加大半导体自主可控投入，各地专项基金有望持续落地，有望为公司提供关键工艺设备国产替代所需政策、资金支持与客户验证环境。2）我们假设2025–2027年大陆市场设备价值量结构为刻蚀26%、薄膜沉积27%、清洗6%、氧化/扩散6%、外延7%、热处理5%、去胶4%、其他辅助2%。刻蚀与薄膜沉积环节价值量占比提升，主要受先进制程与新型封装需求双驱动：①FinFET、GAA及3DNAND层数增加、结构复杂度提升，带动刻蚀工序增多；②AI芯片与HBM封装对薄膜精度和均匀性要求提高，叠加2.5D/3D封装与多重图案化普及，共同推升刻蚀与沉积设备的工艺密度与价值量。 有别于市场的认识：市场普遍认为晶圆厂扩产节奏趋缓，短期设备招标进入平缓期，同时认为公司“多点开花”的平台化战略可能分散资源、削弱在先进制程上的突破力。我们认为，公司通过横向扩展设备品类、纵向贯通工艺流程，持续向系统集成平台商转型，在客户集中采购与验证周期缩短的趋势下，具备更高的业绩潜力与成长空间。 股价表现的催化剂：公司先进制程设备国产替代验证；中国主流晶圆厂资本开支上修；AI驱动算力存力投资上行；公司加码产业整合与外延并购。 风险提示：半导体行业周期波动风险、国产替代推进不及预期风险、技术迭代不确定性风险、并购整合及平台化扩张风险。

     北方华创(002371) 事件 公司2025年第三季度实现营业总收入112亿元，同比增加38%，环比增加41%；归母净利润19亿元，同比增加15%，环比增加18%；扣非净利19亿元，同比增加18%，环比增加19%。 业绩维持高增态势，研发投入持续加码 受益于国内集成电路装备市场需求增长，以及高效研发推动的市占率稳步提升，公司第三季度业绩快速增长。公司坚持高强度的研发策略，前三季度研发费用约33亿元，同比增长48%。持续的技术投入有效提升了工艺覆盖度，为公司长期的高质量发展奠定了坚实基础。 发布新一期股权激励，多维考核深度绑定核心团队 公司发布2025年股票期权激励计划，拟向包含公司董事、高管、核心技术人才及管理骨干在内的2306名激励对象授予1047万份股票期权，行权价格为235.74元/股。本次激励计划考核2026-2029年4年间，公司的营收增长率、研发投入占比两项指标的增速，要求不低于全球半导体设备前五名，即ASML、应用材料、泛林、东京电子、KLA五家公司的平均值，同时设定了年专利申请量不低于500件等多个目标。公司设定积极的考核条件，有利于充分激发核心团队积极性，将员工利益与公司长远发展深度绑定。 投资建议 我们预计2025-2027年公司归母净利润分别为77.12、94.07、117.23亿元，对应的EPS分别为10.65、12.99、16.18元，对应最新收盘价PE分别为40x、33x、26x。维持公司“买入”评级。 风险提示 研发进度不及预期、产业竞争加剧、贸易摩擦加剧

     北方华创(002371) 三季度营收增速超预期，毛利率韧性强：3Q25北方华创营收111.6亿元（人民币，下同；同比增长约39%），超过我们之前预期。公司认为主要是因为中国内地集成电路装备市场持续增长，公司凭借高效的产品研发能力和快速的客户响应速度，工艺覆盖度和市场占有率稳步提升，公司市场份额持续扩大，营业收入同比增加。3Q25毛利率40.3%，环比下降1个百分点，但我们认为公司毛利率水平在持续高速增长过程中表现出较强韧性。3Q25净利润/稀释后EPS分别为19.2亿元/2.66元，基本符合我们之前的预期。 平台型半导体设备龙头优势明显：公司作为国产半导体设备龙头的平台型公司持续扩充产品线。之前公司发布12寸先进低压化学气相硅CVD产品，主要面向高端逻辑和存储芯片领域的非晶硅、多晶硅沉积技术，攻克高深宽比结构填充，高平坦度薄膜生长和兼容低温三大工艺难点，进一步确认公司在国产薄膜沉积领域的技术优势。公司之前宣布进入离子注入领域。我们认为公司产品线仍有进一步扩充的潜力。我们预测公司2025年刻蚀/薄膜沉积/热处理/湿法设备收入分别为117.0/146.2/27.2/14.8亿元。 重申买入，上调目标价至人民币500元：整体看，我们看到中国半导体设备市场需求尚未出现之前市场担心的在2025年增速减缓的迹象。我们从海关数据看到，六月以来进口量同比恢复增长，并在8月达到高个位数。

     北方华创(002371) 事件：近日公司发布2025年三季度报告，2025年前三季度公司实现营收273.01亿元，同比+32.97%；归母净利润51.30亿元，同比+14.83%；扣非归母净利润51.02亿元，同比+19.47%；2025年第三季度单季度公司实现营收111.60亿元，同比+38.31%，环比+40.63%；归母净利润19.22亿元，同比+14.60%，环比+18.13%；扣非归母净利润19.21亿元，同比+18.15%，环比+19.27%。 投资要点： 25Q3营收持续高速成长，存货继续同比大幅增长。由于国内集成电路装备市场持续增长，公司凭借高效的产品研发能力和快速的客户响应速度，工艺覆盖度和市场占有率稳步提升，推动公司营收持续高速成长。公司2025年前三季度实现毛利率为41.41%，同比下降2.81%，25Q3毛利率为40.31%，同比下降1.95%，环比下降0.98%；公司2025年前三季度实现净利率为18.24%，同比下降3.67%，25Q3净利率为15.94%，同比下降5.01%，环比下降4.65%。公司持续加大研发投入，2025年前三季度研发费用为32.85亿元，同比增长49.86%。25Q3末公司存货为301.99亿元，同比增长30%。 不断扩宽半导体设备平台化布局，工艺覆盖度显著增长。公司半导体设备主要产品包括刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法、离子注入、涂胶显影、键合等核心工艺设备，在刻蚀设备领域，公司已形成ICP、CCP、干法去胶设备、高选择性刻蚀设备和Bevel刻蚀设备的全系列产品布局，25H1公司刻蚀设备收入超50亿元;在薄膜沉积设备领域，公司已形成物理气相沉积、化学气相沉积、外延、原子层沉积、电镀和金属有机化学气相沉积设备的全系列布局，25H1公司薄膜沉积设备收入超65亿元；在热处理设备领域，公司已形成立式炉和快速热处理设备（RTP）的全系列布局，25H1公司热处理设备收入超10亿元；在湿法设备领域，公司已形成单片设备、槽式设备全面布局，并购芯源微丰富了公司在前道物理清洗和前道化学清洗领域的布局，25H1公司湿法设备收入超5亿元；2025年3月，公司正式宣布进军离子注入设备市场，并发布多款12英寸离子注入设备；25H1公司完成对芯源微的并购，芯源微是国内领先的前道涂胶显影机的厂商，主要产品包括前道涂胶显影机、后道先进封装涂胶显影机、化合物小尺寸涂胶显影机等；芯源微也是国内 临时键合设备的领先厂商，主要产品包括临时键合机、解键合机等。公司不断拓宽半导体设备平台化布局，发布多款新产品，并实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长。 盈利预测与投资建议。公司为国内平台型半导体设备领先企业，不断拓宽平台化布局，多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度及市场份额持续提升，有望充分受益于半导体设备国产化浪潮，我们预计公司25-27年营收为388.84/491.50/614.40亿元，25-27年归母净利润为75.82/98.75/122.89亿元，对应的EPS为10.47/13.63/16.96元，对应PE为38.31/29.42/23.64倍，维持“买入”评级。 风险提示：半导体周期波动风险，行业竞争加剧风险，国产替代不及预期风险，国际贸易冲突加剧风险。

     北方华创(002371) 投资要点 事件概述：根据北方华创三季度公告，公司2025年前三季度实现营业收入273.01亿元（yoy+32.97%），实现归母净利润51.30亿元（yoy+14.83%），实现扣非归母净利润51.02亿元（yoy+19.47%），综合毛利率41.41%（yoy-2.81pcts）。2025Q3，公司实现营业收入111.60亿元（yoy+38.31%，qoq+40.63%），实现归母净利润19.22亿元（yoy+14.60%，qoq+18.13%），实现扣非归母净利润19.21亿元（yoy+18.34%，qoq+19.27%），综合毛利率40.31%（yoy-1.95pcts，qoq-0.98pcts）。 公司深耕半导体设备领域，营收延续高速增长。公司聚焦半导体设备领域，此前其收入占比超过总营收八成。2025年Q1-Q3，公司实现营业收入273.01亿元，同比增长32.97%，延续了近年来持续高速增长的态势。在半导体产业链国产化替代加速推进、下游晶圆厂积极扩产的背景下，公司凭借其平台化布局，已在集成电路制造中的刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗、离子注入等关键工艺环节实现全面产品覆盖，技术实力与市场认可度不断提升。受益于行业景气度持续高涨以及公司产品竞争力的进一步增强，公司市场份额稳步扩大，推动营业收入实现显著同比增长。 存货环比大幅增长，为未来产品交付奠定坚实基础。2025年Q1-Q3，公司存货为301.99亿元，同比增长30.01%。面对持续的技术迭代与晶圆制造产能扩张，半导体前道设备领域在国产化替代趋势的推动下，需求持续旺盛。在此背景下，公司当前存货水平的提升具有双重动因：其一，这是为应对下游市场旺盛需求而采取的主动、前瞻性备货；其二，这也是在全球供应链不确定性犹存的背景下，构建本土化、安全可控供应链的关键一环。此举旨在全面提升产业链韧性，确保产品的稳定与及时交付，期待后续订单的持续增长。 公司持续加大研发投入，以创新驱动提升产品市场竞争力。2025年Q1-Q3，研发费用达到32.85亿元，同比增长48.40%，研发费率12.03%。在成熟和先进制程半导体设备领域，公司持续推进技术迭代与产品组合优化，电容耦合等离子（CCP）刻蚀、原子层沉积（ALD）设备等在高端装备的研发与应用取得进展，工艺覆盖能力不断增强。公司在逻辑芯片、存储芯片及先进封装等领域接连实现技术突破，进一步巩固了技术领先地位。2025年，公司通过内生发展与外延并购双轮驱动，成功拓展业务边界。2025上半年，公司发布两款离子注入设备开拓新市场，并完成对芯源微的并购，正式进军涂胶显影设备市场。公司通过以上布局完善产品矩阵，更提升工艺覆盖广度与市场占有率，使公司整体竞争力不断增强。 投资建议：公司长期受益于下游晶圆厂产能扩张及国产替代浪潮，业绩实现快速增长。我们预计公司2025、2026、2027年营业收入分别为392.83、496.65和611.56亿元；预计公司2025、2026、2027年归母净利润分别为75.30、96.72和118.60亿元。当前市值对应20252026、2027年的PE分别为39、30和24倍。盈利预测给予“买入”评级。 风险提示：1）产品研发及验证进展不及预期；2）地缘政治风险；3）下游需求不及预期