| 序号 | 研究机构 | 分析师 | 投资评级 | 报告标题 | 更新日 |
| | | 上期评级 | 评级变动 | | |
| 1 | 东吴证券 | 周尔双,李文意 | 维持 | 买入 | 2025年业绩预告点评:业绩符合预期,看好充分受益于大尺寸碳化硅&太空光伏产业化 | 2026-01-30 |
晶盛机电(300316)
投资要点
受光伏周期影响短期承压,公司业绩符合预期:2025年公司预计实现归母净利润8.78-12.55亿元,同比下降50%-65%,中值为10.67亿元,同比-57.5%;扣非净利润预计为6.58-9.75亿元,同比下降60%-73%。按照中值测算,2025Q4公司归母净利润预计为1.66亿元,同比大幅扭亏(2024Q4为-4.50亿元)、环比-36.7%,主要系光伏行业周期性波动影响下,光伏装备需求放缓,石英坩埚、金刚线等材料价格下行,公司收入及盈利能力同步承压。
太空&海外光伏设备需求旺盛,硅片一体解决方案龙头有望充分受益。①太空:全球卫星发射数量指数级增长,中国无线电创新院向国际电信联盟申请20万颗低轨轨道权限,SpaceX加速4.2万颗星链建设,GW级太空光伏需求放量。原有三节砷化镓电池无法满足GW级部署,硅基HJT因其柔性减重、成本低、不受原材料限制等特性成为短期最优方案,远期转向钙钛矿-HJT叠层电池。②地面:海外地面光伏需求旺盛,设备商出海有望加速。根据Mordor Intelligence预测,美国光伏累计装机容量将从2024年的约133GW增至2025年的203.85GW,同比增长53%,对应2025年新增装机约为70GW;2030年美国光伏总装机预计将达412GW,2025-2030年均复合增长率为15.11%。公司单晶炉市占率国际领先,且可提供智能无人工厂方案,有望充分受益于海外需求。
碳化硅衬底已规划产能合计90万片,12寸衬底打开新应用空间:(1)导电型:除上虞30万片拉晶产能外,公司新建60万片8英寸产能,后续合计产能将达90万片;此外马来也规划了24万片切磨抛年产能。公司8英寸衬底先发优势明显,有望充分受益于近期国内外器件厂商产能由6英寸转为8英寸。(2)半绝缘型:公司半绝缘型12英寸衬底试线已通线,AR眼镜、CoWoS中介层等新应用打开放量空间。
晶盛半导体设备定位大硅片、先进封装、先进制程、碳化硅,零部件子公司批量供应国内头部客户:(1)大硅片:提供长晶、切片、研磨、抛光整体解决方案。(2)先进封装:除减薄机外还推出了超快紫外激光开槽设备。(3)先进制程:12英寸硅减压外延生长设备顺利实现销售出货。(4)碳化硅设备:开发了6-8英寸碳化硅长晶设备、切片设备、减薄设备、抛光设备及外延设备等;离子注入样机调试阶段;碳化硅氧化炉/激活炉、光学量检测设备已实现批量出货。(5)半导体零部件:子公司晶鸿精密聚焦关键部件制造,具备特种焊接、精密装配及半导体级表面处理能力,产品覆盖超大型真空腔体、主轴、陶瓷盘等,已批量供应国内头部设备&FAB端客户。
盈利预测与投资评级:我们维持公司2025-2027年归母净利润预测为10/12/15亿元,对应当前PE为61/49/40倍,维持“买入”评级。
风险提示:下游应用拓展不及预期,技术研发不及预期。 |
| 2 | 东吴证券 | 周尔双,李文意 | 维持 | 买入 | 2025年三季报点评:利润环比改善,看好大尺寸碳化硅衬底加速放量 | 2025-10-27 |
晶盛机电(300316)
投资要点
光伏行业周期影响前三季度业绩,Q3净利润环比改善。2025年前三季度公司实现营收82.7亿元,同比-42.9%;归母净利润为9.01亿元,同比-69.6%;扣非归母净利润为7.55亿元,同比-74.1%。2025Q3单季营收24.74亿元,同比-42.9%,环比-7.0%;归母净利润为2.62亿元,同比-69.7%,环比+296.5%;扣非归母净利润为2.19亿元,同比-73.4%,环比+473.1%。Q3净利润环比恢复,主要得益于成本控制强化、毛利率提升。
Q3盈利能力环比改善。2025Q3单季毛利率为29.21%,同比-3.0pct,环比+8.6pct,销售净利率为9.9%,同比-9.8pct,环比+7.6pct。Q3盈利能力随成本端改善出现显著修复。
存货&合同负债同比下滑,现金流同环比转负。截至2025Q3末公司合同负债为29.50亿元,同比-55.2%;存货为83.48亿元,同比-33.5%;经营活动净现金流为3.80亿元,同比-56.8%。Q3单季度经营活动净现金流为-0.67亿元,同环比均转负,主要系销售商品、提供劳务收到的现金减少所致。
碳化硅衬底已规划产能合计90万片,12寸衬底打开新应用空间。(1)导电型:目前30万片拉晶产能外,公司新建60万片8寸产能,后续合计产能将达90万片;此外马来也规划了24万片切磨抛年产能。公司8寸衬底先发优势明显,有望充分受益于近期国内外器件厂商产能由6寸转为8寸。(2)半绝缘型:公司半绝缘型12寸衬底试线已通线,AR眼镜、CoWoS中介层等新应用打开放量空间。
晶盛半导体设备定位大硅片、先进封装、先进制程、碳化硅,零部件子公司批量供应国内头部客户。(1)大硅片:提供长晶、切片、研磨、抛光整体解决方案。(2)先进封装:除减薄机外还推出了超快紫外激光开槽设备。(3)先进制程:12英寸硅减压外延生长设备顺利实现销售出货。(4)碳化硅设备:开发了6-8英寸碳化硅长晶设备、切片设备、减薄设备、抛光设备及外延设备等;离子注入样机调试阶段;碳化硅氧化炉/激活炉、光学量检测设备已实现批量出货。(5)半导体零部件:子公司晶鸿精密聚焦关键部件制造,具备特种焊接、精密装配及半导体级表面处理能力,产品覆盖超大型真空腔体、主轴、陶瓷盘等,已批量供应国内头部设备&FAB端客户。
盈利预测与投资评级:考虑到公司订单确收节奏,我们维持公司2025-2027年归母净利润预测为10/12/15亿元,对应当前PE为52/42/34倍,但考虑到公司多业务仍具备成长性,维持“买入”评级。
风险提示:下游应用拓展不及预期,技术研发不及预期。 |
| 3 | 东吴证券 | 周尔双,李文意 | 维持 | 买入 | 首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线,SiC衬底应用打开公司成长空间 | 2025-09-29 |
晶盛机电(300316)
投资要点
半导体收入占比不断提升,订单快速增长。12英寸碳化硅衬底加工中试线通线,可兼容导电&半绝缘型。9月26日,首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线,至此,浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发,100%国产化,标志着晶盛在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进,迈入高效智造新阶段。
SiC凭借其高热导率和高工艺窗口,有望显著提升CoWoS结构散热并降低封装尺寸。英伟达GPU芯片从H100到B200均采用CoWoS封装(芯片-晶圆-基板)技术。CoWoS通过将多个芯片(如处理器、存储器等)高密度地堆叠集成在一个封装内,显著缩小了封装面积,并大幅提升了芯片系统的性能和能效。但随着GPU芯片功率增大,将众多芯片集成到硅中介层容易导致更高的散热需求。(1)单晶碳化硅是一种具有高导热性的半导体,其热导率达到490W/m·K,比硅高出2–3倍,是高性能CoWoS结构中介层的理想材料。(2)与硅中介层相比,单晶SiC还具有更好的耐化学性,因此可以通过刻蚀制备出更高深宽比的通孔,进一步缩小CoWoS封装尺寸。美国尼尔森科学采用的350μm碳化硅能够制备出109:1的碳化硅中介层,显著高于常规硅中介层的17:1深宽比。
SiC具备高折射率、高热导性,成为AR眼镜镜片的理想基底材料。基底材料的折射率越高,AR镜片的FOV就更大,单层SiC镜片即可实现80度以上FOV,可以提供更轻薄的尺寸和更大更清晰的视觉效果。高折射率同样可以有效解决光波导结构中的彩虹纹和色散问题。高导热性则有效提升了AR眼镜的散热能力和性能表现。同时,SiC材料的高硬度和热稳定性亦支持刻蚀工艺的引入,有效提升产能和良率。
晶盛积极扩产6&8英寸衬底产能,已具备12英寸能力。晶盛目前已经攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题,实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破,成功长出12英寸导电型碳化硅晶体。
盈利预测与投资评级:我们维持公司2025-2027年归母净利润预测为10/12/15亿元,对应当前PE为58/47/38倍,维持“买入”评级。
风险提示:下游应用拓展不及预期,技术研发不及预期。 |
| 4 | 中邮证券 | 吴文吉,翟一梦 | 维持 | 买入 | 碳化硅驱动新增长 | 2025-09-24 |
晶盛机电(300316)
投资要点
碳化硅衬底材料:加速产业化,提升国际化供应能力。为提升性能,英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中,计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料,由硅换成碳化硅。目前台积电邀请各大厂商共同研发碳化硅中间基板的制造技术,英伟达第一代Rubin GPU仍会采用硅中间基板。由于英伟达对性能进步的要求极高,当芯片内产生的热超过极限,必须采用碳化硅,最晚2027年,碳化硅将进入先进封装。公司基于自主研发的碳化硅单晶生长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺,经过多年的技术攻关,创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺,攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题,实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破,成功长出12英寸导电型碳化硅晶体。同时,积极推进8英寸碳化硅衬底在全球的客户验证,送样客户范围大幅提升,产品验证进展顺利,并成功获取部分国际客户批量订单。公司积极布局碳化硅产能,在上虞布局年产30万片碳化硅衬底项目;并基于全球碳化硅产业的良好发展前景和广阔市场,在马来西亚槟城投建8英寸碳化硅衬底产业化项目,进一步强化公司在全球市场的供应能力;同时,在银川投建年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目,不断强化公司在碳化硅衬底材料领域的技术和规模优势。
碳化硅装备:加强8英寸外延以及减薄等碳化硅设备市场推广。在碳化硅产业链装备领域,公司开发了碳化硅长晶及加工设备(研磨、切割、减薄、倒角、抛光、清洗及检测),满足公司碳化硅衬底规模化产能建设需求的同时,在技术、工艺以及成本方面构筑壁垒,强化公司在碳化硅衬底领域的核心竞争力。基于产业链核心设备的国产化突破,公司在检测、离子注入、激活、氧化、减薄、退火等工艺环节积极布局产品体系,以高标准研发目标,逐步实现碳化硅设备产业化市场突破。公司6-8英寸碳化硅外延设备实现国产替代并市占率领先。公司碳化硅设备客户包括瀚天天成、东莞天域、芯联集成、士兰微等行业头部企业。公司紧抓碳化硅产业链向8英寸转移的行业发展趋势,充分发挥在碳化硅产业链装备的核心技术优势,加强8英寸碳化硅外延设备以及6-8英寸碳化硅减薄设备的市场推广,积极推进碳化硅氧化炉、激活炉以及离子注入等设备的客户验证,相关设备的市场工作进展顺利,为规模化量产奠定坚实基础。另外,受益于半导体行业持续发展及国产化进程加快,公司半导体业务持续发展,截至2025年6月30日,公司未完成集成电路及化合物半导体装备合同超37亿元(含税)。
投资建议
我们预计公司2025-2027年分别实现收入120.31/129.77/140亿元,归母净利润10.41/12.65/15.46亿元,维持“买入”评级。
风险提示
行业波动风险,市场竞争风险,技术研发风险,技术人员流失风险,订单履行风险。 |